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FDD13AN06A0_F085
- 제품 모델:
- FDD13AN06A0_F085
- 기술:
- MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 무연 / RoHS 준수
- 수량:
- 56178 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- FDD13AN06A0_F085.pdf
소개
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규격
| 조건 | New and Original |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 살수 장치 | Boser Technology |
| 전압 - 테스트: | 1350pF @ 25V |
| 전압 - 파괴: | TO-252AA |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 13.5 mOhm @ 50A, 10V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속: | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| RoHS 상태: | Tube |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 9.9A (Ta), 50A (Tc) |
| 편광: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호: | FDD13AN06A0_F085 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 29nC @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET 특징: | N-Channel |
| 확장 설명: | N-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | - |
| 기술: | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 60V |
| 용량 비율: | 115W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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