FDD13AN06A0_F085
FDD13AN06A0_F085
部品型番:
FDD13AN06A0_F085
メーカー:
Fairchild/ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
56178 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
FDD13AN06A0_F085.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
電圧 - テスト:1350pF @ 25V
電圧 - ブレークダウン:TO-252AA
同上@ VGS(TH)(最大):13.5 mOhm @ 50A, 10V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RoHSステータス:Tube
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):9.9A (Ta), 50A (Tc)
偏光:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:FDD13AN06A0_F085
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:29nC @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:4V @ 250µA
FET特長:N-Channel
拡張された説明:N-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-252AA
ソース電圧(VDSS)にドレイン:-
説明:MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):60V
静電容量比:115W (Tc)
Email:[email protected]

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