FDD10AN06A0
部品型番:
FDD10AN06A0
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
36461 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
FDD10AN06A0.pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-252AA
シリーズ:PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):10.5 mOhm @ 50A, 10V
電力消費(最大):135W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:FDD10AN06A0-ND
FDD10AN06A0TR
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:16 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1840pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:37nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:60V
詳細な説明:N-Channel 60V 11A (Ta), 50A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):11A (Ta), 50A (Tc)
Email:[email protected]

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