FDD10AN06A0
Modèle de produit:
FDD10AN06A0
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
36461 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FDD10AN06A0.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-252AA
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10.5 mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max):135W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:FDD10AN06A0-ND
FDD10AN06A0TR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1840pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:37nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):6V, 10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 11A (Ta), 50A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:11A (Ta), 50A (Tc)
Email:[email protected]

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