FDD10AN06A0
Part Number:
FDD10AN06A0
Výrobce:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Popis:
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bez olova / V souladu RoHS
Množství:
36461 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
FDD10AN06A0.pdf

Úvod

FDD10AN06A0 nejlepší cenu a rychlé dodání.
BOSER Technology je distributorem FDD10AN06A0, máme zásoby pro okamžitou expedici a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky. Prosím, pošlete nám svůj nákupní plán pro FDD10AN06A0 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New and Original
Původ Contact us
Distributor Boser Technology
Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-252AA
Série:PowerTrench®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:10.5 mOhm @ 50A, 10V
Ztráta energie (Max):135W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ostatní jména:FDD10AN06A0-ND
FDD10AN06A0TR
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:16 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1840pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:37nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):6V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):60V
Detailní popis:N-Channel 60V 11A (Ta), 50A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:11A (Ta), 50A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře