FDD10AN06A0
Số Phần:
FDD10AN06A0
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng:
36461 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
FDD10AN06A0.pdf

Giới thiệu

FDD10AN06A0 giá tốt nhất và giao hàng nhanh.
BOSER Technology là nhà phân phối cho FDD10AN06A0, chúng tôi có các cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FDD10AN06A0 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New and Original
Gốc Contact us
Nhà phân phối Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-252AA
Loạt:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, VGS:10.5 mOhm @ 50A, 10V
Điện cực phân tán (Max):135W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:FDD10AN06A0-ND
FDD10AN06A0TR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:16 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1840pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:37nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
miêu tả cụ thể:N-Channel 60V 11A (Ta), 50A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:11A (Ta), 50A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận