FDB7030L_L86Z
FDB7030L_L86Z
제품 모델:
FDB7030L_L86Z
제조사:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술:
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
무연 / RoHS 준수
수량:
86721 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
FDB7030L_L86Z.pdf

소개

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살수 장치 Boser Technology
아이디 @ VGS (일) (최대):3V @ 250µA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:TO-263AB
연속:PowerTrench®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):7 mOhm @ 40A, 10V
전력 소비 (최대):68W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도:-65°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:2440pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:33nC @ 5V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):30V
상세 설명:N-Channel 30V 80A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount TO-263AB
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):80A (Ta)
Email:[email protected]

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