FDB7030L_L86Z
FDB7030L_L86Z
Artikelnummer:
FDB7030L_L86Z
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
86721 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FDB7030L_L86Z.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-263AB
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7 mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max):68W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur:-65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2440pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 30V 80A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:80A (Ta)
Email:[email protected]

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