FCD600N65S3R0
FCD600N65S3R0
제품 모델:
FCD600N65S3R0
제조사:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술:
SUPERFET3 650V DPAK PKG
수량:
89467 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
FCD600N65S3R0.pdf

소개

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살수 장치 Boser Technology
아이디 @ VGS (일) (최대):4.5V @ 600µA
Vgs (최대):±30V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:D-PAK (TO-252)
연속:SuperFET® III
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):600 mOhm @ 3A, 10V
전력 소비 (최대):54W (Tc)
패키지 / 케이스:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
무연 상태:Lead free
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:465pF @ 400V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:11nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):650V
상세 설명:N-Channel 650V 6A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):6A (Tc)
Email:[email protected]

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