FCD600N65S3R0
FCD600N65S3R0
Modèle de produit:
FCD600N65S3R0
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
SUPERFET3 650V DPAK PKG
Quantité:
89467 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FCD600N65S3R0.pdf

introduction

FCD600N65S3R0 meilleur prix et livraison rapide.
BOSER Technology est le distributeur pour FCD600N65S3R0, nous avons les stocks pour une expédition immédiate et aussi pour une fourniture à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour FCD600N65S3R0 par courriel, nous vous donnerons le meilleur prix en fonction de votre plan.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 600µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D-PAK (TO-252)
Séries:SuperFET® III
Rds On (Max) @ Id, Vgs:600 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max):54W (Tc)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Statut sans plomb:Lead free
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:465pF @ 400V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):650V
Description détaillée:N-Channel 650V 6A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes