FCD260N65S3
Modèle de produit:
FCD260N65S3
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 260MOHM TO252
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
43355 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FCD260N65S3.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1.2mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-252, (D-Pak)
Séries:SuperFET® III
Rds On (Max) @ Id, Vgs:260 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max):90W (Tc)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1010pF @ 400V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):650V
Description détaillée:N-Channel 650V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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