FCD260N65S3
Artikelnummer:
FCD260N65S3
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 260MOHM TO252
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
43355 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FCD260N65S3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1.2mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-252, (D-Pak)
Serie:SuperFET® III
Rds On (Max) @ Id, Vgs:260 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max):90W (Tc)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1010pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):650V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 650V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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