FCD380N60E
Modèle de produit:
FCD380N60E
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
68231 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FCD380N60E.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D-Pak
Séries:SuperFET® II
Rds On (Max) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max):106W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:FCD380N60ETR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:52 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1770pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 10.2A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount D-Pak
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:10.2A (Tc)
Numéro de pièce de base:FCD380N60
Email:[email protected]

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