FCD380N60E
Modello di prodotti:
FCD380N60E
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
68231 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FCD380N60E.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-Pak
Serie:SuperFET® II
Rds On (max) a Id, Vgs:380 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):106W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:FCD380N60ETR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:52 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1770pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 10.2A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10.2A (Tc)
Numero di parte base:FCD380N60
Email:[email protected]

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