BUK9E3R2-40B,127
BUK9E3R2-40B,127
제품 모델:
BUK9E3R2-40B,127
제조사:
NXP Semiconductors / Freescale
기술:
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
무연 / RoHS 준수
수량:
58466 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
BUK9E3R2-40B,127.pdf

소개

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규격

조건 New and Original
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살수 장치 Boser Technology
아이디 @ VGS (일) (최대):2V @ 1mA
Vgs (최대):±15V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:I2PAK
연속:TrenchMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):2.8 mOhm @ 25A, 10V
전력 소비 (최대):300W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
다른 이름들:568-6639
568-6639-5
568-6639-ND
934058038127
BUK9E3R2-40B
BUK9E3R2-40B,127-ND
BUK9E3R2-40B-ND
BUK9E3R240B127
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:10502pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:94nC @ 5V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):40V
상세 설명:N-Channel 40V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):100A (Tc)
Email:[email protected]

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