BUK9E3R2-40B,127
BUK9E3R2-40B,127
Modèle de produit:
BUK9E3R2-40B,127
Fabricant:
NXP Semiconductors / Freescale
La description:
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
58466 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
BUK9E3R2-40B,127.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±15V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:I2PAK
Séries:TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.8 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max):300W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms:568-6639
568-6639-5
568-6639-ND
934058038127
BUK9E3R2-40B
BUK9E3R2-40B,127-ND
BUK9E3R2-40B-ND
BUK9E3R240B127
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:10502pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:94nC @ 5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):40V
Description détaillée:N-Channel 40V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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