APTGT200DH60G 최고의 가격과 빠른 배달.
BOSER Technology APTGT200DH60G에 대한 유통 업체입니다, 우리는 즉각적인 배송을 위해 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. APTGT200DH60G 구입 계획을 전자 메일로 보내 주시면 계획에 따라 최상의 가격을 제공 할 것입니다.우리의 이메일 : [email protected]
APTGT200DH60G
- 제품 모델:
- APTGT200DH60G
- 제조사:
- Microsemi
- 기술:
- IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 무연 / RoHS 준수
- 수량:
- 61297 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
소개
우리의 이메일 : [email protected]
규격
| 조건 | New and Original |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 살수 장치 | Boser Technology |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 600V |
| VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대): | 1.9V @ 15V, 200A |
| 제조업체 장치 패키지: | SP6 |
| 연속: | - |
| 전력 - 최대: | 625W |
| 패키지 / 케이스: | SP6 |
| 작동 온도: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| NTC 써미스터: | No |
| 실장 형: | Chassis Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 32 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가: | 12.3nF @ 25V |
| 입력: | Standard |
| IGBT 유형: | Trench Field Stop |
| 상세 설명: | IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 290A 625W Chassis Mount SP6 |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 250µA |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 290A |
| 구성: | Asymmetrical Bridge |
| Email: | [email protected] |
APTGT200DH60G에 대한 관련 부품
| 영상 | 제품 모델 | 제조업체 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT200H120G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 | 문의 |
|
APTGT200SK120G | Microsemi | IGBT 1200V 280A 890W SP6 | 문의 |
 |
APTGT200DU120G | Microsemi | POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6 | 문의 |
|
APTGT200DA60TG | Microsemi | IGBT 600V 290A 625W SP4 | 문의 |
|
APTGT200SK120D3G | Microsemi | IGBT 1200V 300A 1050W D3 | 문의 |
 |
APTGT200A60T3AG | Microsemi | IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP3 | 문의 |
|
APTGT200DA120G | Microsemi | IGBT 1200V 280A 890W SP6 | 문의 |
 |
APTGT200DA60T3AG | Microsemi | MOD IGBT 600V 290A SP3 | 문의 |
|
APTGT200H60G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 | 문의 |
|
APTGT200SK60TG | Microsemi | IGBT 600V 290A 625W SP4 | 문의 |
 |
APTGT200DU60TG | Microsemi | POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4 | 문의 |
|
APTGT200DA120D3G | Microsemi | IGBT 1200V 300A 1050W D3 | 문의 |
|
APTGT200SK170D3G | Microsemi | IGBT 1700V 400A 1250W D3 | 문의 |
|
APTGT200SK60T3AG | Microsemi | MOD IGBT 600V 290A SP3 | 문의 |
|
APTGT200A170D3G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 | 문의 |
 |
APTGT200A602G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 PHASE LEG SP2 | 문의 |
 |
APTGT200TL60G | Microsemi | POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6 | 문의 |
|
APTGT200DH120G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 | 문의 |
|
APTGT200A60TG | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4 | 문의 |
|
APTGT200DA170D3G | Microsemi | IGBT 1700V 400A 1250W D3 | 문의 |
Latest 뉴스
- Vishay는 VCSEL을 기반으로 새로운 고성능 반사광 센서를 출시했습니다.
- 작은 충전 IC 그루터기 사과, Huawei, Samsung의 이유는 무엇입니까?
- 전자 재료의 반도체 산업의 중요성
- 탄소 기반의 반도체는 어떻게 무너 지는가?
- 중국의 세계적인 전자 제품 공급망에서의 중요한 역할
- 50 억 위안! Ziguang의 주식을 취득하려는 Alibaba의 의도의 노출
- 국내 고전압 및 대용량 압착 IGBT 칩 및 장치를 성공적으로 개발했습니다.
- 국내 반도체 IP는 터닝 포인트에서도 안지 시켰고, 이동 기술의 장점 및 기회 분석
- 화웨이 허블 (Huawei Hubble)은 심하게 투자합니다 : 반도체 산업에 밀접하게 집중
- 포장 및 테스트, MOSFET 20 %까지 급증했습니다!
- Ex semiconductor industry innovation depends on advanced packaging to advance is the key to success or failure, the fastest growing advanced packaging platform 3D/2.5D stacking and fan-out
- 새로운 팹의 물결이 다시 나타나고 반도체 장비의 붐이 계속됩니다.