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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > APTGT200DH60G
APTGT200DH60G
Modello di prodotti:
APTGT200DH60G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
61297 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.APTGT200DH60G.pdf2.APTGT200DH60G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:1.9V @ 15V, 200A
Contenitore dispositivo fornitore:SP6
Serie:-
Potenza - Max:625W
Contenitore / involucro:SP6
temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
Termistore NTC:No
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:12.3nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:Trench Field Stop
Descrizione dettagliata:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 290A 625W Chassis Mount SP6
Corrente - Cutoff collettore (max):250µA
Corrente - collettore (Ic) (max):290A
Configurazione:Asymmetrical Bridge
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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