Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
ACTT6B-800E,118 Image ACTT6B-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 6A D2PAK Inchiesta
BT136-600E/L01,127 Image BT136-600E/L01,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Inchiesta
BTA140-600-0TQ BTA140-600-0T/SIL3P/STANDARD M Inchiesta
BTA316B-600BT,118 Image BTA316B-600BT,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Inchiesta
BYC10-600,127 Image BYC10-600,127 DIODE GEN PURP 500V 10A TO220AC Inchiesta
BTA312-600B,127 Image BTA312-600B,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Inchiesta
BT145-800RTQ BT145-800RTQ SIL3P STANDARD Inchiesta
BTA204S-800B,118 Image BTA204S-800B,118 TRIAC 800V 4A DPAK Inchiesta
BYC5B-600,118 Image BYC5B-600,118 DIODE GEN PURP 500V 5A D2PAK Inchiesta
EC103D1,116 Image EC103D1,116 THYRISTOR GATE 400V 0.8A TO92 Inchiesta
BTA316X-800CTQ Image BTA316X-800CTQ BTA316X-800CTQ/TO-220F/STANDARD Inchiesta
Z0109MN0,135 Image Z0109MN0,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Inchiesta
BTA410X-800BT,127 Image BTA410X-800BT,127 TRIAC 800V 10A TO220F Inchiesta
BT138B-800E,118 Image BT138B-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 12A D2PAK Inchiesta
BTA204-800C,127 Image BTA204-800C,127 TRIAC 800V 4A TO220AB Inchiesta
BTA410Y-600BT,127 TRIAC 600V 10A TO220AB Inchiesta
BTA312-600CT,127 Image BTA312-600CT,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Inchiesta
BTA208S-600F,118 Image BTA208S-600F,118 TRIAC 600V 8A DPAK Inchiesta
ACTT8B-800CTNJ ACTT8B-800CTN/D2PAK/REEL 13" Q Inchiesta
OT332,127 Image OT332,127 TRIAC TO220-3 Inchiesta
Z0109NN,135 Image Z0109NN,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Inchiesta
BT155Z-1200TQ Image BT155Z-1200TQ BT155Z-1200TQ II TO3P Inchiesta
BT169G,126 Image BT169G,126 THYRISTOR 600V 0.8A SOT54 Inchiesta
BTA204X-800E/L01Q BTA204X-800E/L01/TO-220F/STAND Inchiesta
N0118GA,412 Image N0118GA,412 SCR SENS 600V 800MA SOT54 Inchiesta
BTA204S-600B,118 Image BTA204S-600B,118 TRIAC 600V 4A DPAK Inchiesta
BYW29E-200,127 Image BYW29E-200,127 DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC Inchiesta
BT151X-500C,127 Image BT151X-500C,127 THYRISTOR 500V 12A TO-220F Inchiesta
BT136-800E,127 Image BT136-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 4A TO220AB Inchiesta
BYW29ED-200,118 Image BYW29ED-200,118 DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK Inchiesta
BT136-600D/DG,127 Image BT136-600D/DG,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Inchiesta
BTA208B-1000C,118 Image BTA208B-1000C,118 TRIAC 1KV 8A D2PAK Inchiesta
BT151U-650C,127 Image BT151U-650C,127 THYRISTOR 650V 12A SOT533 Inchiesta
BYC10-600PQ Image BYC10-600PQ DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC Inchiesta
ACT108-800EML Image ACT108-800EML TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO-92 Inchiesta
ACT108W-600D,135 Image ACT108W-600D,135 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A SC73 Inchiesta
BT149D,112 Image BT149D,112 THYRISTOR 400V 0.8A TO92 Inchiesta
BTA410X-600BT,127 Image BTA410X-600BT,127 TRIAC 600V 10A TO220F Inchiesta
BYV415W-600PQ Image BYV415W-600PQ DIODE GEN PURP 600V 15A TO247 Inchiesta
N0118GA,116 Image N0118GA,116 SCR SENS 600V 800MA SOT54 TO-92 Inchiesta
BTA316-600ET,127 Image BTA316-600ET,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Inchiesta
BTA420X-800CT/L02Q Image BTA420X-800CT/L02Q TRIAC 800V 20A Inchiesta
ACTT10-800CTNQ ACTT10-800CTN/SIL3P/STANDARD M Inchiesta
ACT108W-800EF Image ACT108W-800EF TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SOT223 Inchiesta
Z0109MA/L01EP Z0109MA/L01/TO-92/STANDARD MAR Inchiesta
BTA208X-800E,127 Image BTA208X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 8A TO220-3 Inchiesta
BTA316B-800C,118 Image BTA316B-800C,118 TRIAC 800V 16A D2PAK Inchiesta
OT391,412 Image OT391,412 TRIAC TO92-3 Inchiesta
PHE13003C,126 Image PHE13003C,126 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 Inchiesta
BT134-800E,127 Image BT134-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 4A SOT82-3 Inchiesta
Records 873