Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
BYC75W-1200PQ STANDARD MARKING * HORIZONTAL, R Inchiesta
BT139X-800/L02Q BT139X-800/L02/TO-220F/STANDAR Inchiesta
BT148-400R,127 Image BT148-400R,127 THYRISTOR 400V 4A SOT82 Inchiesta
OT408,135 Image OT408,135 TRIAC STANDARD TO261-4 Inchiesta
BT138X-600,127 Image BT138X-600,127 TRIAC 600V 12A TO220-3 Inchiesta
BTA410Y-600CT,127 TRIAC 600V 10A TO220AB Inchiesta
BYW29EX-200,127 Image BYW29EX-200,127 DIODE GEN PURP 200V 8A TO220F Inchiesta
BT151-1000RT,127 Image BT151-1000RT,127 THYRISTOR 1000V 12A TO220AB Inchiesta
Z0107NN0,135 Image Z0107NN0,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Inchiesta
PMDPB760ENX MOSFET AXIAL Inchiesta
BYV430W-300PQ DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247-3 Inchiesta
OT393,115 Image OT393,115 TRIAC SC73 Inchiesta
BTA425X-800BTQ Image BTA425X-800BTQ TRIAC 800V 25A TO220F Inchiesta
TYN16-600CT,127 Image TYN16-600CT,127 IC SCR 16A 600V TO220AB Inchiesta
BTA312-800B,127 Image BTA312-800B,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Inchiesta
PHE13009/DG,127 Image PHE13009/DG,127 TRANS NPN 400V 12A TO220AB Inchiesta
ACTT12B-800CTJ ACTT12B-800CT/D2PAK/REEL 13" Q Inchiesta
BTA316-800C,127 Image BTA316-800C,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Inchiesta
BUJ105AB,118 Image BUJ105AB,118 TRANS NPN 400V 8A D2PAK Inchiesta
BT131-600/DG,116 Image BT131-600/DG,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA204-600B,127 Image BTA204-600B,127 TRIAC 600V 4A TO220AB Inchiesta
BT151U-500C,127 Image BT151U-500C,127 THYRISTOR 12A 500V SOT-533 Inchiesta
BTA201W-800E,115 Image BTA201W-800E,115 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Inchiesta
BTA316B-600B,118 Image BTA316B-600B,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Inchiesta
BTA312-600C,127 Image BTA312-600C,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Inchiesta
BTA410-600ET,127 Image BTA410-600ET,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220AB Inchiesta
Z0103NN,135 Image Z0103NN,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Inchiesta
ACTT16B-800CTNJ ACTT16B-800CTN/D2PAK/REEL 13 Inchiesta
BTA416Y-600B,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Inchiesta
BTA212B-600E,118 Image BTA212B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK Inchiesta
BYC8X-600P,127 Image BYC8X-600P,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F Inchiesta
ACTT6-800CNQ ACTT6-800CN/SIL3P/STANDARD MAR Inchiesta
BTA204W-600F,135 Image BTA204W-600F,135 TRIAC 600V 1A SC73 Inchiesta
Z0109NA,412 Image Z0109NA,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
Z0109NA,116 Image Z0109NA,116 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BT137-800E,127 Image BT137-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 8A TO220AB Inchiesta
BTA312X-800C,127 Image BTA312X-800C,127 TRIAC 800V 12A TO220-3 Inchiesta
BTA140-600G0Q BTA140-600G0/SIL3P/STANDARD MA Inchiesta
BT151X-800C,127 Image BT151X-800C,127 THYRISTOR 800V 12A TO-220F Inchiesta
BTA201W-600E,115 Image BTA201W-600E,115 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Inchiesta
BTA206X-800ET/L03Q BTA206X-800ET/L03/TO-220F/STAN Inchiesta
BUJ103AD,118 Image BUJ103AD,118 TRANS NPN 400V 4A DPAK Inchiesta
BT138-600G,127 Image BT138-600G,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Inchiesta
BT169D/01,112 Image BT169D/01,112 THYRISTOR 400V 50MA TO92-3 Inchiesta
BTA410-600BT,127 Image BTA410-600BT,127 TRIAC 600V 10A TO220AB Inchiesta
BTA204W-800C,135 Image BTA204W-800C,135 TRIAC 800V 1A SC73 Inchiesta
BTA212X-800B,127 Image BTA212X-800B,127 TRIAC 800V 12A TO220-3 Inchiesta
BYV32G-200,127 Image BYV32G-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 20A I2PAK Inchiesta
WNS20H100CQ WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKI Inchiesta
BT131-800E,412 Image BT131-800E,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
Records 873