Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
ACTT10B-800CTNJ ACTT10B-800CTNJ/D2PAK Inchiesta
BT169D,116 Image BT169D,116 THYRISTOR 400V 0.8A TO92-3 Inchiesta
BTA212-600B/DG,127 Image BTA212-600B/DG,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Inchiesta
ACT108-600D,412 Image ACT108-600D,412 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Inchiesta
ACTT16X-800CTNQ ACTT16X-800CTN/TO-220F/STANDAR Inchiesta
BTA208-800B/L01,12 Image BTA208-800B/L01,12 TRIAC 800V 8A TO220AB Inchiesta
BT169GEP BT169G/TO-92/STANDARD MARKING Inchiesta
BT169H,412 Image BT169H,412 THYRISTOR 800V 50MA TO92-3 Inchiesta
ACT108W-600E,135 Image ACT108W-600E,135 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A SC73 Inchiesta
ACTT2W-800ETNF ACTT2W-800ETN SC-70 STANDARD Inchiesta
BT152-400R,127 Image BT152-400R,127 THYRISTOR 20A 450V TO220AB Inchiesta
PHE13003A,412 Image PHE13003A,412 TRANS NPN 400V 1A SOT54 Inchiesta
ACT108-600D,126 Image ACT108-600D,126 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Inchiesta
BTA204W-600C,135 Image BTA204W-600C,135 TRIAC 600V 1A SC73 Inchiesta
BT137X-600/L02Q Image BT137X-600/L02Q TRIAC 600V 8A Inchiesta
BT137-600-0TQ Image BT137-600-0TQ TRIAC 600V 8A Inchiesta
Z0109MA0,412 Image Z0109MA0,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
EC103D1WX Image EC103D1WX SCR SENS GATE 400V SC-73 Inchiesta
BTA208X-800F,127 Image BTA208X-800F,127 TRIAC 800V 8A TO220-3 Inchiesta
BT137-600E,127 Image BT137-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB Inchiesta
BT139-600-0TQ BT139-600-0T/SIL3P/STANDARD MA Inchiesta
BT169H-LML BT169H-L/TO-92/STANDARD MARKIN Inchiesta
BT152-800R,127 Image BT152-800R,127 THYRISTOR 20A 800V TO220AB Inchiesta
BTA316X-600C,127 Image BTA316X-600C,127 TRIAC 600V 16A TO220-3 Inchiesta
BYV32EB-200PJ Image BYV32EB-200PJ BYV32EB-200PQ TO263 STANDARD MAR Inchiesta
Z0103NA,412 Image Z0103NA,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA316X-600E/DG,12 Image BTA316X-600E/DG,12 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220F Inchiesta
NXPS20H100CX,127 Image NXPS20H100CX,127 DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F Inchiesta
BYV32E-200,127 Image BYV32E-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 20A TO220AB Inchiesta
BYC10DX-600,127 Image BYC10DX-600,127 DIODE GEN PURP 500V 10A TO220F Inchiesta
BT169HML BT169H/TO-92/STANDARD MARKING Inchiesta
OT411,127 Image OT411,127 TRIAC TO220-3 Inchiesta
BT169D/DG,126 Image BT169D/DG,126 THYRISTOR 400V 500MA TO92-3 Inchiesta
BYV32E-200PQ DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Inchiesta
NCR100W-10MX NCR100W-10M/SC-73/REEL 7" Q1/T Inchiesta
BYV29X-500,127 Image BYV29X-500,127 DIODE GEN PURP 500V 9A TO220F Inchiesta
BT138X-600G,127 Image BT138X-600G,127 TRIAC 600V 12A TO220-3 Inchiesta
BTA316-800B0,127 Image BTA316-800B0,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Inchiesta
BUJ105AD,118 Image BUJ105AD,118 TRANS NPN 400V 8A DPAK Inchiesta
OT407,126 TRIAC SOT54A Inchiesta
BTA216B-600F,118 Image BTA216B-600F,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Inchiesta
BT134-600E,127 Image BT134-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A SOT82-3 Inchiesta
BT136X-600,127 Image BT136X-600,127 TRIAC 600V 4A TO220-3 Inchiesta
ACTT8B-800C0J ACTT8B-800C0/D2PAK/REEL 13" Q1 Inchiesta
Z0109NN0,135 Image Z0109NN0,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Inchiesta
TYN16X-600CT,127 Image TYN16X-600CT,127 IC SCR 16A 600V TO-220F Inchiesta
ACTT4S-800C,118 Image ACTT4S-800C,118 TRIAC 800V 4A DPAK Inchiesta
BT168G,112 Image BT168G,112 THYRISTOR .8A 600V TO-92 Inchiesta
BTA208X-600E,127 Image BTA208X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220-3 Inchiesta
BYV10-600PQ Image BYV10-600PQ DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC Inchiesta
Records 873