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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
ACTT10B-800CTNJ ACTT10B-800CTNJ/D2PAK Investigación
BT169D,116 Image BT169D,116 THYRISTOR 400V 0.8A TO92-3 Investigación
BTA212-600B/DG,127 Image BTA212-600B/DG,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
ACT108-600D,412 Image ACT108-600D,412 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Investigación
ACTT16X-800CTNQ ACTT16X-800CTN/TO-220F/STANDAR Investigación
BTA208-800B/L01,12 Image BTA208-800B/L01,12 TRIAC 800V 8A TO220AB Investigación
BT169GEP BT169G/TO-92/STANDARD MARKING Investigación
BT169H,412 Image BT169H,412 THYRISTOR 800V 50MA TO92-3 Investigación
ACT108W-600E,135 Image ACT108W-600E,135 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A SC73 Investigación
ACTT2W-800ETNF ACTT2W-800ETN SC-70 STANDARD Investigación
BT152-400R,127 Image BT152-400R,127 THYRISTOR 20A 450V TO220AB Investigación
PHE13003A,412 Image PHE13003A,412 TRANS NPN 400V 1A SOT54 Investigación
ACT108-600D,126 Image ACT108-600D,126 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Investigación
BTA204W-600C,135 Image BTA204W-600C,135 TRIAC 600V 1A SC73 Investigación
BT137X-600/L02Q Image BT137X-600/L02Q TRIAC 600V 8A Investigación
BT137-600-0TQ Image BT137-600-0TQ TRIAC 600V 8A Investigación
Z0109MA0,412 Image Z0109MA0,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
EC103D1WX Image EC103D1WX SCR SENS GATE 400V SC-73 Investigación
BTA208X-800F,127 Image BTA208X-800F,127 TRIAC 800V 8A TO220-3 Investigación
BT137-600E,127 Image BT137-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB Investigación
BT139-600-0TQ BT139-600-0T/SIL3P/STANDARD MA Investigación
BT169H-LML BT169H-L/TO-92/STANDARD MARKIN Investigación
BT152-800R,127 Image BT152-800R,127 THYRISTOR 20A 800V TO220AB Investigación
BTA316X-600C,127 Image BTA316X-600C,127 TRIAC 600V 16A TO220-3 Investigación
BYV32EB-200PJ Image BYV32EB-200PJ BYV32EB-200PQ TO263 STANDARD MAR Investigación
Z0103NA,412 Image Z0103NA,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BTA316X-600E/DG,12 Image BTA316X-600E/DG,12 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220F Investigación
NXPS20H100CX,127 Image NXPS20H100CX,127 DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F Investigación
BYV32E-200,127 Image BYV32E-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 20A TO220AB Investigación
BYC10DX-600,127 Image BYC10DX-600,127 DIODE GEN PURP 500V 10A TO220F Investigación
BT169HML BT169H/TO-92/STANDARD MARKING Investigación
OT411,127 Image OT411,127 TRIAC TO220-3 Investigación
BT169D/DG,126 Image BT169D/DG,126 THYRISTOR 400V 500MA TO92-3 Investigación
BYV32E-200PQ DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Investigación
NCR100W-10MX NCR100W-10M/SC-73/REEL 7" Q1/T Investigación
BYV29X-500,127 Image BYV29X-500,127 DIODE GEN PURP 500V 9A TO220F Investigación
BT138X-600G,127 Image BT138X-600G,127 TRIAC 600V 12A TO220-3 Investigación
BTA316-800B0,127 Image BTA316-800B0,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Investigación
BUJ105AD,118 Image BUJ105AD,118 TRANS NPN 400V 8A DPAK Investigación
OT407,126 TRIAC SOT54A Investigación
BTA216B-600F,118 Image BTA216B-600F,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Investigación
BT134-600E,127 Image BT134-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A SOT82-3 Investigación
BT136X-600,127 Image BT136X-600,127 TRIAC 600V 4A TO220-3 Investigación
ACTT8B-800C0J ACTT8B-800C0/D2PAK/REEL 13" Q1 Investigación
Z0109NN0,135 Image Z0109NN0,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Investigación
TYN16X-600CT,127 Image TYN16X-600CT,127 IC SCR 16A 600V TO-220F Investigación
ACTT4S-800C,118 Image ACTT4S-800C,118 TRIAC 800V 4A DPAK Investigación
BT168G,112 Image BT168G,112 THYRISTOR .8A 600V TO-92 Investigación
BTA208X-600E,127 Image BTA208X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220-3 Investigación
BYV10-600PQ Image BYV10-600PQ DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC Investigación
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