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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
BYV34-400,127 Image BYV34-400,127 DIODE ARRAY GP 400V 20A TO220AB Investigación
Z0103MA0,116 Image Z0103MA0,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BTA201-600E/L01EP BTA201-600E/L01/TO-92/STANDARD Investigación
TYN16S-600CTJ TYN16S-600CTJ DPAK Investigación
BT131-800D/L01EP Image BT131-800D/L01EP TRIAC SENS GATE 800V 1A Investigación
BTA330-800BTQ Image BTA330-800BTQ TRIAC 800V 30A TO220AB Investigación
BT151-500RT,127 Image BT151-500RT,127 THYRISTOR 12A 500V TO220AB Investigación
BYC8B-600,118 Image BYC8B-600,118 DIODE GEN PURP 500V 8A D2PAK Investigación
BT136-600E,127 Image BT136-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Investigación
BT136-600/DG,127 Image BT136-600/DG,127 TRIAC 600V 4A TO220AB Investigación
BT137-600/DG,127 Image BT137-600/DG,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Investigación
BYR29-600,127 Image BYR29-600,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC Investigación
NXPS20H100C,127 Image NXPS20H100C,127 DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 Investigación
BT139X-600F/DG,127 Image BT139X-600F/DG,127 TRIAC 600V 16A TO220F Investigación
ACTT12-800CTNQ ACTT12-800CTN/SIL3P/STANDARD M Investigación
ACTT4S-800E,118 Image ACTT4S-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 4A DPAK Investigación
BT151-500L,127 Image BT151-500L,127 THYRISTOR 12A 650V TO220AB Investigación
ACTT8X-800C0TQ ACTT8X-800C0T/TO-220F/STANDARD Investigación
ACT108-800EEP Image ACT108-800EEP TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO-92 Investigación
WNS20H100CBJ WNS20H100CBJ/TO263/REEL 13\" Q1/ Investigación
ACT108-600E,412 Image ACT108-600E,412 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Investigación
NXPSC20650WQ DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247 Investigación
BYC30W-600PQ Image BYC30W-600PQ DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2 Investigación
BT148-500R,127 Image BT148-500R,127 THYRISTOR 500V 4A SOT82 Investigación
BTA412Y-600B,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
BT138-800E,127 Image BT138-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220AB Investigación
BYC20-600,127 Image BYC20-600,127 DIODE GEN PURP 500V 20A TO220AC Investigación
BT137-600G0Q BT137-600G0/SIL3P/STANDARD MAR Investigación
BT138-600G0Q BT138-600G0/SIL3P/STANDARD MAR Investigación
MAC97A6,412 Image MAC97A6,412 TRIAC SENS GATE 400V 0.6A TO92-3 Investigación
BT151-500C,127 Image BT151-500C,127 THYRISTOR 12A 500V TO220AB Investigación
BTA412Y-600ETQ BTA412Y-600ET SIL3P STANDARD Investigación
MAC97A8/DG,412 Image MAC97A8/DG,412 TRIAC 600V 0.6A TO-92 Investigación
BT136S-800F,118 Image BT136S-800F,118 TRIAC 800V 4A DPAK Investigación
BTA312-600B/DG,127 Image BTA312-600B/DG,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
BTA312-800C/DG,127 Image BTA312-800C/DG,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Investigación
BTA204X-600E,127 Image BTA204X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220-3 Investigación
BTA316X-800B/L01,1 Image BTA316X-800B/L01,1 TRIAC 800V 16A TO220F Investigación
BTA316X-800C/L03Q BTA316X-800C L03Q STANDARD Investigación
PHE13007,127 Image PHE13007,127 TRANS NPN 400V 8A TO220AB Investigación
BTA225-600B,127 Image BTA225-600B,127 TRIAC 600V 25A TO220AB Investigación
N0118GAML Image N0118GAML THYRISTOR SCR 600V 8A TO-92 Investigación
BUJ103AX,127 Image BUJ103AX,127 TRANS NPN 400V 4A TO-220F Investigación
BT1308W-600D,115 Image BT1308W-600D,115 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A SC73 Investigación
BT138X-600F,127 Image BT138X-600F,127 TRIAC 600V 12A TO220-3 Investigación
BT137X-600F,127 Image BT137X-600F,127 TRIAC 600V 8A TO220-3 Investigación
Z0103MN0,135 Image Z0103MN0,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Investigación
BTA425X-800BQ Image BTA425X-800BQ TRIAC 800V 25A TO220F Investigación
BTA140-600,127 Image BTA140-600,127 TRIAC 600V 25A TO220AB Investigación
BT138X-800,127 Image BT138X-800,127 TRIAC 800V 12A TO220-3 Investigación
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