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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
BT151-650C,127 Image BT151-650C,127 THYRISTOR 12A 650V TO220AB Investigación
BTA208-600E,127 Image BTA208-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB Investigación
BT137X-600,127 Image BT137X-600,127 TRIAC 600V 8A TO220-3 Investigación
BT151-650L,127 Image BT151-650L,127 THYRISTOR 12A 650V TO220AB Investigación
ACT102H-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 0.2A 8SO Investigación
BTA212-600E,127 Image BTA212-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB Investigación
BTA410Y-600ET,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220AB Investigación
Z0107NA/DG,116 Image Z0107NA/DG,116 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BUJ403A/DG,127 Image BUJ403A/DG,127 TRANS NPN 550V 6A TO220AB Investigación
BUJ302A,127 Image BUJ302A,127 TRANS NPN 400V 4A TO220AB Investigación
BT131-600D,412 Image BT131-600D,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BT151S-500R,118 Image BT151S-500R,118 THYRISTOR 500V 12A DPAK Investigación
BTA312-600D/DG,127 Image BTA312-600D/DG,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB Investigación
NXPSC04650Q Image NXPSC04650Q DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC Investigación
BT152-500RT,127 Image BT152-500RT,127 THYRISTOR 12A 500V TO220AB Investigación
BT169G-MQP BT169G-M/TO-92/STANDARD MARKIN Investigación
BYC15-600,127 Image BYC15-600,127 DIODE GEN PURP 500V 15A TO220AC Investigación
Z0107NA0/L02EP Z0107NA0/L02/TO-92/STANDARD MA Investigación
BT139-800E,127 Image BT139-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220AB Investigación
BYV29-500,127 Image BYV29-500,127 DIODE GEN PURP 500V 9A TO220AC Investigación
BTA420X-800CT/L03Q BTA420X-800CT/L03/TO-220F/STAN Investigación
TYN16-600RTQ Image TYN16-600RTQ IC SCR 16A 600V TO220AB Investigación
BTA212X-600D,127 Image BTA212X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 Investigación
BTA2008-600D,412 Image BTA2008-600D,412 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Investigación
BYV29-400,127 Image BYV29-400,127 DIODE GEN PURP 400V 9A TO220AC Investigación
BTA316-800C/DGQ Image BTA316-800C/DGQ TRIAC 800V 16A TO220AB Investigación
BYV74W-400,127 Image BYV74W-400,127 DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247-3 Investigación
PHD13005,127 Image PHD13005,127 TRANS NPN 400V 4A TO220AB Investigación
BUJ403A,127 Image BUJ403A,127 TRANS NPN 550V 6A TO220AB Investigación
Z0103MA,116 Image Z0103MA,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
ACTT10-800ETQ Image ACTT10-800ETQ TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220AB Investigación
BYC5X-600,127 Image BYC5X-600,127 DIODE GEN PURP 500V 5A TO220F Investigación
BYV430K-300PQ DIODE ARRAY GP 300V 30A TO3P Investigación
BTA206X-800CT:127 Image BTA206X-800CT:127 TRIAC 800V 6A TO220F Investigación
BTA310-600D,127 Image BTA310-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220AB Investigación
BTA412Y-600C,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
BYV32E-100,127 Image BYV32E-100,127 DIODE ARRAY GP 100V 20A TO220AB Investigación
BTA212X-600F,127 Image BTA212X-600F,127 TRIAC 600V 12A TO220F Investigación
Z0107MA,412 Image Z0107MA,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BTA2008W-800D,135 Image BTA2008W-800D,135 TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SC73 Investigación
Z0109MN,135 Image Z0109MN,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Investigación
BYC20X-600PQ Image BYC20X-600PQ DIODE GEN PURP 600V 20A TO220F Investigación
BT236X-600F,127 Image BT236X-600F,127 TRIAC 600V 6A TO220-3 Investigación
BTA216X-800B,127 Image BTA216X-800B,127 TRIAC 800V 16A TO220-3 Investigación
BT158W-1200TQ BT158W-1200TQ TO-247 Investigación
BT300S-600R,118 Image BT300S-600R,118 THYRISTOR 8A 600V DPAK Investigación
ACTT10X-800CTQ Image ACTT10X-800CTQ TRIAC 800V 10A TO-220FP Investigación
BT139X-600,127 Image BT139X-600,127 TRIAC 600V 16A TO220-3 Investigación
BT136X-600E/DG,127 Image BT136X-600E/DG,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220F Investigación
BTA216-600BT,127 Image BTA216-600BT,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Investigación
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