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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
ACTT6B-800E,118 Image ACTT6B-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 6A D2PAK Investigación
BT136-600E/L01,127 Image BT136-600E/L01,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Investigación
BTA140-600-0TQ BTA140-600-0T/SIL3P/STANDARD M Investigación
BTA316B-600BT,118 Image BTA316B-600BT,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Investigación
BYC10-600,127 Image BYC10-600,127 DIODE GEN PURP 500V 10A TO220AC Investigación
BTA312-600B,127 Image BTA312-600B,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
BT145-800RTQ BT145-800RTQ SIL3P STANDARD Investigación
BTA204S-800B,118 Image BTA204S-800B,118 TRIAC 800V 4A DPAK Investigación
BYC5B-600,118 Image BYC5B-600,118 DIODE GEN PURP 500V 5A D2PAK Investigación
EC103D1,116 Image EC103D1,116 THYRISTOR GATE 400V 0.8A TO92 Investigación
BTA316X-800CTQ Image BTA316X-800CTQ BTA316X-800CTQ/TO-220F/STANDARD Investigación
Z0109MN0,135 Image Z0109MN0,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Investigación
BTA410X-800BT,127 Image BTA410X-800BT,127 TRIAC 800V 10A TO220F Investigación
BT138B-800E,118 Image BT138B-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 12A D2PAK Investigación
BTA204-800C,127 Image BTA204-800C,127 TRIAC 800V 4A TO220AB Investigación
BTA410Y-600BT,127 TRIAC 600V 10A TO220AB Investigación
BTA312-600CT,127 Image BTA312-600CT,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
BTA208S-600F,118 Image BTA208S-600F,118 TRIAC 600V 8A DPAK Investigación
ACTT8B-800CTNJ ACTT8B-800CTN/D2PAK/REEL 13" Q Investigación
OT332,127 Image OT332,127 TRIAC TO220-3 Investigación
Z0109NN,135 Image Z0109NN,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Investigación
BT155Z-1200TQ Image BT155Z-1200TQ BT155Z-1200TQ II TO3P Investigación
BT169G,126 Image BT169G,126 THYRISTOR 600V 0.8A SOT54 Investigación
BTA204X-800E/L01Q BTA204X-800E/L01/TO-220F/STAND Investigación
N0118GA,412 Image N0118GA,412 SCR SENS 600V 800MA SOT54 Investigación
BTA204S-600B,118 Image BTA204S-600B,118 TRIAC 600V 4A DPAK Investigación
BYW29E-200,127 Image BYW29E-200,127 DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC Investigación
BT151X-500C,127 Image BT151X-500C,127 THYRISTOR 500V 12A TO-220F Investigación
BT136-800E,127 Image BT136-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 4A TO220AB Investigación
BYW29ED-200,118 Image BYW29ED-200,118 DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK Investigación
BT136-600D/DG,127 Image BT136-600D/DG,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Investigación
BTA208B-1000C,118 Image BTA208B-1000C,118 TRIAC 1KV 8A D2PAK Investigación
BT151U-650C,127 Image BT151U-650C,127 THYRISTOR 650V 12A SOT533 Investigación
BYC10-600PQ Image BYC10-600PQ DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC Investigación
ACT108-800EML Image ACT108-800EML TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO-92 Investigación
ACT108W-600D,135 Image ACT108W-600D,135 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A SC73 Investigación
BT149D,112 Image BT149D,112 THYRISTOR 400V 0.8A TO92 Investigación
BTA410X-600BT,127 Image BTA410X-600BT,127 TRIAC 600V 10A TO220F Investigación
BYV415W-600PQ Image BYV415W-600PQ DIODE GEN PURP 600V 15A TO247 Investigación
N0118GA,116 Image N0118GA,116 SCR SENS 600V 800MA SOT54 TO-92 Investigación
BTA316-600ET,127 Image BTA316-600ET,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Investigación
BTA420X-800CT/L02Q Image BTA420X-800CT/L02Q TRIAC 800V 20A Investigación
ACTT10-800CTNQ ACTT10-800CTN/SIL3P/STANDARD M Investigación
ACT108W-800EF Image ACT108W-800EF TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SOT223 Investigación
Z0109MA/L01EP Z0109MA/L01/TO-92/STANDARD MAR Investigación
BTA208X-800E,127 Image BTA208X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 8A TO220-3 Investigación
BTA316B-800C,118 Image BTA316B-800C,118 TRIAC 800V 16A D2PAK Investigación
OT391,412 Image OT391,412 TRIAC TO92-3 Investigación
PHE13003C,126 Image PHE13003C,126 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 Investigación
BT134-800E,127 Image BT134-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 4A SOT82-3 Investigación
registros 873