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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
BTA216-600B,127 Image BTA216-600B,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Investigación
BT137-600-0Q Image BT137-600-0Q TRIAC 600V 8A SIL3P Investigación
BT137X-600F/L02Q BT137X-600F/L02/TO-220F/STANDA Investigación
BTA206X-800CT/L03Q BTA206X-800CT/L03/TO-220F/STAN Investigación
BT169H/01U Image BT169H/01U SCR 10A 800V TO-92 Investigación
OT407,412 TRIAC SOT54A Investigación
BT137X-800,127 Image BT137X-800,127 TRIAC 800V 8A TO220-3 Investigación
BYV29B-500,118 Image BYV29B-500,118 DIODE GEN PURP 500V 9A D2PAK Investigación
BTA201-800ER,112 Image BTA201-800ER,112 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BTA312X-600E,127 Image BTA312X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 Investigación
BTA204-600D,127 Image BTA204-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Investigación
BT258-500R,127 Image BT258-500R,127 THYRISTOR 500V 8A TO220AB Investigación
BT136S-600D,118 Image BT136S-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 4A DPAK Investigación
BT236X-800G,127 Image BT236X-800G,127 TRIAC 800V 6A TO220F Investigación
BT139X-800,127 Image BT139X-800,127 TRIAC 800V 16A TO220-3 Investigación
BYV25G-600,127 Image BYV25G-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A I2PAK Investigación
BTA216B-600D,118 Image BTA216B-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 16A D2PAK Investigación
BTA225B-600B,118 Image BTA225B-600B,118 TRIAC 600V 25A D2PAK Investigación
BYQ28E-200E,127 Image BYQ28E-200E,127 DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Investigación
BTA316X-800B0,127 Image BTA316X-800B0,127 TRIAC 800V 16A TO220F Investigación
BT138-800G,127 Image BT138-800G,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Investigación
BTA420X-800CT/DG,1 Image BTA420X-800CT/DG,1 TRIAC 800V 20A TO220F Investigación
BT236X-600,127 Image BT236X-600,127 TRIAC 600V 6A TO220F Investigación
BT138-600,127 Image BT138-600,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
BYC30DW-600PQ BYC30DW-600PQ/TO247/STANDARD MAR Investigación
BTA212B-800E,118 Image BTA212B-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 12A D2PAK Investigación
BTA425Y-800BTQ TRIAC 800V 25A TO220AB Investigación
BTA316B-600C,118 Image BTA316B-600C,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Investigación
BUJ303AX,127 Image BUJ303AX,127 TRANS NPN 500V 5A TO-220F Investigación
NCR100W-12LX NCR100W-12L/SC-73/REEL 7" Q1/T Investigación
BTA420-800CT,127 Image BTA420-800CT,127 TRIAC 800V 20A TO220AB Investigación
NURS360BJ Image NURS360BJ DIODE GEN PURP 600V 3A SOD132 Investigación
TB100EP TB100/TO-92/STANDARD MARKING * Investigación
BTA312B-600D,118 Image BTA312B-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK Investigación
BT137B-800F,118 Image BT137B-800F,118 TRIAC 800V 8A D2PAK Investigación
BTA312G-600CTQ BTA312G-600CT/I2PAK/STANDARD M Investigación
BT1308W-600D,135 Image BT1308W-600D,135 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A SC73 Investigación
BUJD105AD,118 Image BUJD105AD,118 TRANS NPN 400V 8A DPAK Investigación
BYV32E-150,127 Image BYV32E-150,127 DIODE ARRAY GP 150V 20A TO220AB Investigación
BTA201-800E,112 Image BTA201-800E,112 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
MAC223A6,127 Image MAC223A6,127 TRIAC 400V 25A TO220AB Investigación
BT131W-600,135 Image BT131W-600,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Investigación
Z0109NA0,412 Image Z0109NA0,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BYC8-600,127 Image BYC8-600,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC Investigación
BTA225-800B,127 Image BTA225-800B,127 TRIAC 800V 25A TO220AB Investigación
BTA410-600CT,127 Image BTA410-600CT,127 TRIAC 600V 10A TO220AB Investigación
BYV410-600,127 Image BYV410-600,127 DIODE ARRAY GP 600V 20A TO220AB Investigación
EC103D1,412 Image EC103D1,412 THYRISTOR GATE 400V 0.8A TO92 Investigación
ACTT10-800CTQ Image ACTT10-800CTQ TRIAC 800V 10A TO-220AB Investigación
BTA2008-600E/L02EP BTA2008-600E/L02/TO-92/STANDAR Investigación
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