Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
BTA216-600B,127 Image BTA216-600B,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Inchiesta
BT137-600-0Q Image BT137-600-0Q TRIAC 600V 8A SIL3P Inchiesta
BT137X-600F/L02Q BT137X-600F/L02/TO-220F/STANDA Inchiesta
BTA206X-800CT/L03Q BTA206X-800CT/L03/TO-220F/STAN Inchiesta
BT169H/01U Image BT169H/01U SCR 10A 800V TO-92 Inchiesta
OT407,412 TRIAC SOT54A Inchiesta
BT137X-800,127 Image BT137X-800,127 TRIAC 800V 8A TO220-3 Inchiesta
BYV29B-500,118 Image BYV29B-500,118 DIODE GEN PURP 500V 9A D2PAK Inchiesta
BTA201-800ER,112 Image BTA201-800ER,112 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA312X-600E,127 Image BTA312X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 Inchiesta
BTA204-600D,127 Image BTA204-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Inchiesta
BT258-500R,127 Image BT258-500R,127 THYRISTOR 500V 8A TO220AB Inchiesta
BT136S-600D,118 Image BT136S-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 4A DPAK Inchiesta
BT236X-800G,127 Image BT236X-800G,127 TRIAC 800V 6A TO220F Inchiesta
BT139X-800,127 Image BT139X-800,127 TRIAC 800V 16A TO220-3 Inchiesta
BYV25G-600,127 Image BYV25G-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A I2PAK Inchiesta
BTA216B-600D,118 Image BTA216B-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 16A D2PAK Inchiesta
BTA225B-600B,118 Image BTA225B-600B,118 TRIAC 600V 25A D2PAK Inchiesta
BYQ28E-200E,127 Image BYQ28E-200E,127 DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Inchiesta
BTA316X-800B0,127 Image BTA316X-800B0,127 TRIAC 800V 16A TO220F Inchiesta
BT138-800G,127 Image BT138-800G,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Inchiesta
BTA420X-800CT/DG,1 Image BTA420X-800CT/DG,1 TRIAC 800V 20A TO220F Inchiesta
BT236X-600,127 Image BT236X-600,127 TRIAC 600V 6A TO220F Inchiesta
BT138-600,127 Image BT138-600,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Inchiesta
BYC30DW-600PQ BYC30DW-600PQ/TO247/STANDARD MAR Inchiesta
BTA212B-800E,118 Image BTA212B-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 12A D2PAK Inchiesta
BTA425Y-800BTQ TRIAC 800V 25A TO220AB Inchiesta
BTA316B-600C,118 Image BTA316B-600C,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Inchiesta
BUJ303AX,127 Image BUJ303AX,127 TRANS NPN 500V 5A TO-220F Inchiesta
NCR100W-12LX NCR100W-12L/SC-73/REEL 7" Q1/T Inchiesta
BTA420-800CT,127 Image BTA420-800CT,127 TRIAC 800V 20A TO220AB Inchiesta
NURS360BJ Image NURS360BJ DIODE GEN PURP 600V 3A SOD132 Inchiesta
TB100EP TB100/TO-92/STANDARD MARKING * Inchiesta
BTA312B-600D,118 Image BTA312B-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK Inchiesta
BT137B-800F,118 Image BT137B-800F,118 TRIAC 800V 8A D2PAK Inchiesta
BTA312G-600CTQ BTA312G-600CT/I2PAK/STANDARD M Inchiesta
BT1308W-600D,135 Image BT1308W-600D,135 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A SC73 Inchiesta
BUJD105AD,118 Image BUJD105AD,118 TRANS NPN 400V 8A DPAK Inchiesta
BYV32E-150,127 Image BYV32E-150,127 DIODE ARRAY GP 150V 20A TO220AB Inchiesta
BTA201-800E,112 Image BTA201-800E,112 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
MAC223A6,127 Image MAC223A6,127 TRIAC 400V 25A TO220AB Inchiesta
BT131W-600,135 Image BT131W-600,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Inchiesta
Z0109NA0,412 Image Z0109NA0,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BYC8-600,127 Image BYC8-600,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC Inchiesta
BTA225-800B,127 Image BTA225-800B,127 TRIAC 800V 25A TO220AB Inchiesta
BTA410-600CT,127 Image BTA410-600CT,127 TRIAC 600V 10A TO220AB Inchiesta
BYV410-600,127 Image BYV410-600,127 DIODE ARRAY GP 600V 20A TO220AB Inchiesta
EC103D1,412 Image EC103D1,412 THYRISTOR GATE 400V 0.8A TO92 Inchiesta
ACTT10-800CTQ Image ACTT10-800CTQ TRIAC 800V 10A TO-220AB Inchiesta
BTA2008-600E/L02EP BTA2008-600E/L02/TO-92/STANDAR Inchiesta
Records 873