Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
BT138-600-0Q BT138-600-0/SIL3P/STANDARD MAR Inchiesta
BTA204X-600F,127 Image BTA204X-600F,127 TRIAC 600V 4A TO220F Inchiesta
BTA212X-600B,127 Image BTA212X-600B,127 TRIAC 600V 12A TO220-3 Inchiesta
BYV29B-600,118 Image BYV29B-600,118 DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK Inchiesta
BT139-600E,127 Image BT139-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Inchiesta
BTA316B-800B,118 Image BTA316B-800B,118 TRIAC 800V 16A D2PAK Inchiesta
OT374,118 Image OT374,118 TRIAC DPAK Inchiesta
BYQ28E-200/H,127 Image BYQ28E-200/H,127 DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Inchiesta
OT384,112 Image OT384,112 TRIAC TO92-3 Inchiesta
BT136-600D,127 Image BT136-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Inchiesta
BTA212-800B,127 Image BTA212-800B,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Inchiesta
BTA216-600B/DG,127 Image BTA216-600B/DG,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Inchiesta
BT137-600,127 Image BT137-600,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Inchiesta
BTA2008-1000DNML BTA2008-1000DNML/SOT54/STANDARD Inchiesta
TB100ML TB100/TO-92/STANDARD MARKING * Inchiesta
BTA310-600E,127 Image BTA310-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220AB Inchiesta
BT136S-800E,118 Image BT136S-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 4A DPAK Inchiesta
BTA316X-600C/L03Q BTA316X-600C L03Q STANDARD Inchiesta
BTA208X-800B/L02Q BTA208X-800B/L02/TO-220F/STAND Inchiesta
BT151X-650C,127 Image BT151X-650C,127 THYRISTOR 650V 12A TO-220F Inchiesta
BT139-800,127 Image BT139-800,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Inchiesta
ACTT4X-800C,127 Image ACTT4X-800C,127 TRIAC 800V 4A TO220F Inchiesta
BTA312X-800C/L02Q BTA312X-800C/L02/TO-220F/STAND Inchiesta
BT137S-600F,118 Image BT137S-600F,118 TRIAC 600V 8A DPAK Inchiesta
BTA206X-800ET,127 Image BTA206X-800ET,127 TRIAC SENS GATE 800V 6A TO220F Inchiesta
BT236X-800G/L02Q BT236X-800G/L02/TO-220F/STANDA Inchiesta
BTA312-800ET,127 Image BTA312-800ET,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220AB Inchiesta
BT169D-L,112 Image BT169D-L,112 THYRISTOR 400V 50MA TO92-3 Inchiesta
BTA201-600E,126 Image BTA201-600E,126 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BT145-800R,127 Image BT145-800R,127 THYRISTOR 25A 800V TO220AB Inchiesta
BTA2008-800E,412 Image BTA2008-800E,412 TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO92-3 Inchiesta
BYC10B-600,118 Image BYC10B-600,118 DIODE GEN PURP 500V 10A D2PAK Inchiesta
ACTT10X-800EQ Image ACTT10X-800EQ TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220FP Inchiesta
BTA312X-600E/DGQ Image BTA312X-600E/DGQ TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220F Inchiesta
ACTT12X-800CTNQ ACTT12X-800CTN/TO-220F/STANDAR Inchiesta
BTA312X-600D,127 Image BTA312X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 Inchiesta
BTA41-800BQ Image BTA41-800BQ BTA41-800BQ/II TO3P/STANDARD MAR Inchiesta
WNS20S100CQ WNS20S100CQ/SIL3P/STANDARD MARKI Inchiesta
BTA212-600B,127 Image BTA212-600B,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Inchiesta
TYN40-800TQ TYN40-800TQ SIL3P STANDARD MARKI Inchiesta
BYC58X-600,127 Image BYC58X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F Inchiesta
BTA204-600C/DG,127 Image BTA204-600C/DG,127 TRIAC 600V 4A TO220AB Inchiesta
BTA308X-800B0Q BTA308X-800B0/TO-220F/STANDARD Inchiesta
BT151X-500R,127 Image BT151X-500R,127 THYRISTOR 500V 12A SOT186A Inchiesta
BT137-600/L01,127 Image BT137-600/L01,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Inchiesta
BT138B-600E,118 Image BT138B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK Inchiesta
ACTT10X-800ETQ Image ACTT10X-800ETQ TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220FP Inchiesta
BT136X-600D,127 Image BT136X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220-3 Inchiesta
BYV40E-150,115 Image BYV40E-150,115 DIODE ARRAY GP 150V 1.5A SC73 Inchiesta
BTA310-800D,127 Image BTA310-800D,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220AB Inchiesta
Records 873