Kartu garis

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
GP2M005A060PGH	MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK	Penyelidikan
GP2D040A120U	DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247	Penyelidikan
S6Q	DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4	Penyelidikan
GSXD060A015S1-D3	DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227	Penyelidikan
GHXS060A120S-D3	MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227	Penyelidikan
GP1M003A050CG	MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK	Penyelidikan
FR12D02	DIODE GEN PURP 200V 12A DO4	Penyelidikan
FR12GR05	DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4	Penyelidikan
1N3211	DIODE GEN PURP 300V 15A DO5	Penyelidikan
FR12B05	DIODE GEN PURP 100V 12A DO4	Penyelidikan
1N2135AR	DIODE GEN PURP REV 400V 60A DO5	Penyelidikan
GP2M008A060CG	MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK	Penyelidikan
1N1183R	DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO5	Penyelidikan
GP2D003A065A	DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2	Penyelidikan
S12G	DIODE GEN PURP 400V 12A DO4	Penyelidikan
GSXF060A100S1-D3	DIODE FAST REC 1000V 60A SOT227	Penyelidikan
GP3D050A120B	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2	Penyelidikan
S16B	DIODE GEN PURP 100V 16A DO203AA	Penyelidikan
GSXD160A012S1-D3	DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227	Penyelidikan
FR6JR02	DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4	Penyelidikan
GSXD080A020S1-D3	DIODE 200V 80A SOT227	Penyelidikan
GP2D010A120B	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-2	Penyelidikan
GCMS008A120B1B1	SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL	Penyelidikan
FR6D05	DIODE GEN PURP 200V 16A DO4	Penyelidikan
GP1M006A065PH	MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK	Penyelidikan
GP2D024A060U	DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247	Penyelidikan
FR6K05	DIODE GEN PURP 800V 6A DO4	Penyelidikan
FR40GR05	DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5	Penyelidikan
GSXD160A008S1-D3	DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227	Penyelidikan
GP1M009A090N	MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN	Penyelidikan
GP2M008A060HG	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220	Penyelidikan
1N3210R	DIODE GEN PURP REV 200V 15A DO5	Penyelidikan
FST16040	DIODE MODULE 40V 160A TO249AB	Penyelidikan
GP1M003A080FH	MOSFET N-CH 800V 3A TO220F	Penyelidikan
S6KR	DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4	Penyelidikan
GP1M006A065FH	MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F	Penyelidikan
GP1M011A050H	MOSFET N-CH 500V 11A TO220	Penyelidikan
FR6J05	DIODE GEN PURP 600V 6A DO4	Penyelidikan
S16G	DIODE GEN PURP 400V 16A DO203AA	Penyelidikan
FR6BR05	DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4	Penyelidikan
GP2M008A060FG	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F	Penyelidikan
FR30D02	DIODE GEN PURP 200V 30A DO5	Penyelidikan
GHXS050A060S-D4	DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227	Penyelidikan
1N3213	DIODE GEN PURP 500V 15A DO5	Penyelidikan
FST10035	DIODE MODULE 35V 100A TO249AB	Penyelidikan
GP2M005A050HG	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220	Penyelidikan
MUR2520	DIODE GEN PURP 200V 25A DO4	Penyelidikan
GSXD080A004S1-D3	DIODE SCHOTTKY 45V 80A SOT227	Penyelidikan
GP1M008A050HG	MOSFET N-CH 500V 8A TO220	Penyelidikan
FR12MR05	DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4	Penyelidikan

catatan 639

Halaman saat ini:8/13Sebelumnya 1 2 3 4 5 6 789 10 11 12 13 Berikutnya Akhir