Kartu garis

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
GSXF030A060S1-D3	DIODE FAST REC 600V 30A SOT227	Penyelidikan
GP2M008A060PG	MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK	Penyelidikan
S12D	DIODE GEN PURP 200V 12A DO4	Penyelidikan
GHIS060A120S1-E1	SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S	Penyelidikan
GP2M002A065PG	MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK	Penyelidikan
GP1M008A080H	MOSFET N-CH 800V 8A TO220	Penyelidikan
S16Q	DIODE GEN PURP 1.2KV 16A DO203AA	Penyelidikan
1N1204A	DIODE GEN PURP 400V 12A DO4	Penyelidikan
FR30KR05	DIODE GEN PURP REV 800V 30A DO5	Penyelidikan
GPA030A120MN-FD	IGBT 1200V 60A 329W TO3PN	Penyelidikan
GHXS015A120S-D1E	MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227	Penyelidikan
GP1M009A020PG	MOSFET N-CH 200V 9A IPAK	Penyelidikan
GHXS015A120S-D1	MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227	Penyelidikan
FST10030	DIODE MODULE 30V 100A TO249AB	Penyelidikan
GP1M006A065CH	MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK	Penyelidikan
GP1M005A050FH	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F	Penyelidikan
FR30BR02	DIODE GEN PURP REV 100V 30A DO5	Penyelidikan
GP2M002A060PG	MOSFET N-CH 600V 2A	Penyelidikan
GP2D006A065C	DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2	Penyelidikan
FR16BR02	DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4	Penyelidikan
GSXD060A020S1-D3	DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227	Penyelidikan
1N1184AR	DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO5	Penyelidikan
FR6M05	DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4	Penyelidikan
FR16J05	DIODE GEN PURP 600V 16A DO4	Penyelidikan
FR6B05	DIODE GEN PURP 100V 16A DO4	Penyelidikan
S25K	DIODE GEN PURP 800V 25A DO203AA	Penyelidikan
GSXD080A012S1-D3	DIODE SCHOTTKY 120V 80A SOT227	Penyelidikan
GP1M003A090C	MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK	Penyelidikan
S6QR	DIODE GEN PURP REV 1.2KV 6A DO4	Penyelidikan
1N1199AR	DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4	Penyelidikan
GSXF100A060S1-D3	DIODE FAST REC 600V 100A SOT227	Penyelidikan
1N1190R	DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5	Penyelidikan
S6M	DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4	Penyelidikan
GKN71/12	DIODE GEN PURP 1.2KV 95A DO5	Penyelidikan
GHIS060A120S-A1	IGBT BOOST CHP 1200V 120A SOT227	Penyelidikan
GKN26/16	DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4	Penyelidikan
FST10080	DIODE MODULE 80V 100A TO249AB	Penyelidikan
FR20D02	DIODE GEN PURP 200V 20A DO5	Penyelidikan
FR16GR05	DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4	Penyelidikan
GP1M016A060FH	MOSFET N-CH 600V 16A TO220F	Penyelidikan
FST160100	DIODE MODULE 100V 160A TO249AB	Penyelidikan
GP2D020A120A	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220-2	Penyelidikan
FST12040	DIODE MODULE 40V 120A TO249AB	Penyelidikan
S16JR	DIODE GEN REV 600V 16A DO203AA	Penyelidikan
GCMS007A120S7B1	SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL	Penyelidikan
FR16JR02	DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4	Penyelidikan
GCMS040A120S1-E1	SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C	Penyelidikan
S16M	DIODE GEN PURP 1KV 16A DO203AA	Penyelidikan
S6J	DIODE GEN PURP 600V 6A DO4	Penyelidikan
S25M	DIODE GEN PURP 1KV 25A DO203AA	Penyelidikan

catatan 639

Halaman saat ini:6/13Sebelumnya 1 2 3 4 567 8 9 10 11 12 13 Berikutnya Akhir