Kartu garis

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.
Gambar Nomor bagian Deskripsi Melihat
GSID100A120T2C1 SILICON IGBT MODULES Penyelidikan
GSXF030A100S1-D3 Image GSXF030A100S1-D3 DIODE FAST REC 1000V 30A SOT227 Penyelidikan
GP2M008A060FGH Image GP2M008A060FGH MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F Penyelidikan
FR6DR05 DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4 Penyelidikan
GSXD080A006S1-D3 Image GSXD080A006S1-D3 DIODE SCHOTTKY 60V 80A SOT227 Penyelidikan
GSXD160A018S1-D3 Image GSXD160A018S1-D3 DIODE SCHOTTKY 180V 160A SOT227 Penyelidikan
GP1M005A040PG Image GP1M005A040PG MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK Penyelidikan
GP2D060A120U DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 Penyelidikan
GSXF120A040S1-D3 Image GSXF120A040S1-D3 DIODE FAST REC 400V 120A SOT227 Penyelidikan
S16QR DIODE GEN REV 1.2KV 16A DO203AA Penyelidikan
GP1M009A050HS Image GP1M009A050HS MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220 Penyelidikan
GSID200A120S3B1 SILICON IGBT MODULES Penyelidikan
FR12JR02 Image FR12JR02 DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 Penyelidikan
GB50SLT12-247 Image GB50SLT12-247 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC Penyelidikan
S12QR DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4 Penyelidikan
GSXD120A004S1-D3 Image GSXD120A004S1-D3 DIODE SCHOTTKY 45V 120A SOT227 Penyelidikan
GP1M011A050FH Image GP1M011A050FH MOSFET N-CH 500V 11A TO220F Penyelidikan
GP2D005A065A DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO220-2 Penyelidikan
GCMS004A120S7B1 SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL Penyelidikan
S40V DIODE GEN PURP 1.4KV 40A DO5 Penyelidikan
GSXD100A015S1-D3 Image GSXD100A015S1-D3 DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227 Penyelidikan
FR6J02 DIODE GEN PURP 600V 6A DO4 Penyelidikan
GKN26/04 DIODE GEN PURP 400V 25A DO4 Penyelidikan
GSXD050A006S1-D3 Image GSXD050A006S1-D3 DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227 Penyelidikan
FR16M05 DIODE GEN PURP 1KV 16A DO4 Penyelidikan
S40M Image S40M DIODE GEN PURP 1KV 40A DO5 Penyelidikan
GSID300A120S5C1 Image GSID300A120S5C1 IGBT MODULE 1200V 430A Penyelidikan
GKN71/08 DIODE GEN PURP 800V 95A DO5 Penyelidikan
GP2M005A060HG Image GP2M005A060HG MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220 Penyelidikan
1N1183AR DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO5 Penyelidikan
GP2M005A060CG Image GP2M005A060CG MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK Penyelidikan
GHXS015A120S-D3 Image GHXS015A120S-D3 DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227 Penyelidikan
S6JR DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 Penyelidikan
GP2D006A060C Image GP2D006A060C DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-2 Penyelidikan
GP1M010A080FH Image GP1M010A080FH MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F Penyelidikan
GP2D006A060A Image GP2D006A060A DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2 Penyelidikan
S12JR DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 Penyelidikan
GKR26/12 DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4 Penyelidikan
1N3673A Image 1N3673A DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4 Penyelidikan
GP2D005A060A Image GP2D005A060A DIODE SCHOTTKY 600V 15A TO220-2 Penyelidikan
GP2D006A065A Image GP2D006A065A DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2 Penyelidikan
S25G DIODE GEN PURP 400V 25A DO203AA Penyelidikan
S12MR DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4 Penyelidikan
S25J DIODE GEN PURP 600V 25A DO203AA Penyelidikan
1N1199A Image 1N1199A DIODE GEN PURP 50V 12A DO4 Penyelidikan
GSXD120A015S1-D3 Image GSXD120A015S1-D3 DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227 Penyelidikan
GSXD060A004S1-D3 Image GSXD060A004S1-D3 DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227 Penyelidikan
FR16K05 Image FR16K05 DIODE GEN PURP 800V 16A DO4 Penyelidikan
GHIS100A120S2B1 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES Penyelidikan
FR20B02 DIODE GEN PURP 100V 20A DO5 Penyelidikan
catatan 639