Kartu garis

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
S16J	DIODE GEN PURP 600V 16A DO203AA	Penyelidikan
GCMS080A120B1H1	SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1	Penyelidikan
GP2D005A120A	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2	Penyelidikan
GHIS080A060S-A2	IGBT BUCK CHOP 600V 160A SOT227	Penyelidikan
1N3671A	DIODE GEN PURP 800V 12A DO4	Penyelidikan
GP1M006A070FH	MOSFET N-CH 700V 5A TO220F	Penyelidikan
GP1M010A080H	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220	Penyelidikan
GP1M003A080PH	MOSFET N-CH 800V 3A IPAK	Penyelidikan
FR16B05	DIODE GEN PURP 100V 16A DO4	Penyelidikan
GP2M005A050PG	MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK	Penyelidikan
GB05SLT12-220	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC	Penyelidikan
GP2D003A060C	DIODE SCHOTTKY 600V 3A DPAK-2	Penyelidikan
GP2M002A065HG	MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220	Penyelidikan
FR40B05	DIODE GEN PURP 100V 40A DO5	Penyelidikan
S6K	DIODE GEN PURP 800V 6A DO4	Penyelidikan
GSXD050A020S1-D3	DIODE SCHOTTKY 200V 50A SOT227	Penyelidikan
GP1M020A060M	MOSFET N-CH 600V 20A TO3P	Penyelidikan
GSXD160A020S1-D3	DIODE SCHOTTKY 200V 160A SOT227	Penyelidikan
1N3208R	DIODE GEN PURP REV 50V 15A DO5	Penyelidikan
GSID100A120S5C1	IGBT MODULE 1200V 170A	Penyelidikan
GHXS045A120S-D3	DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227	Penyelidikan
GP2D020A120B	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247-2	Penyelidikan
GPA060A060MN-FD	IGBT 600V 120A 347W TO3PN	Penyelidikan
FR16B02	DIODE GEN PURP 100V 16A DO4	Penyelidikan
GP2D005A065C	DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO252	Penyelidikan
S40GR	DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5	Penyelidikan
FR20AR02	DIODE GEN PURP REV 50V 20A DO5	Penyelidikan
GSXD050A004S1-D3	DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227	Penyelidikan
GKN26/12	DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4	Penyelidikan
GP1M009A070F	MOSFET N-CH 700V 9A TO220F	Penyelidikan
GP2M002A060HG	MOSFET N-CH 600V 2A TO220	Penyelidikan
GP1M015A050FH	MOSFET N-CH 500V 14A TO220F	Penyelidikan
FR40D02	DIODE GEN PURP 200V 40A DO5	Penyelidikan
GHXS010A060S-D1E	MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227	Penyelidikan
FR40D05	DIODE GEN PURP 200V 40A DO5	Penyelidikan
1N1187	DIODE GEN PURP 300V 35A DO5	Penyelidikan
S12KR	DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4	Penyelidikan
GSID300A125S5C1	IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS	Penyelidikan
GKR26/16	DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4	Penyelidikan
1N3882R	DIODE GEN PURP REV 300V 6A DO4	Penyelidikan
S40BR	DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO5	Penyelidikan
1N3209	DIODE GEN PURP 100V 15A DO5	Penyelidikan
GHXS010A060S-D3	DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227	Penyelidikan
FST10045	DIODE MODULE 45V 100A TO249AB	Penyelidikan
GP1M016A060F	MOSFET N-CH 600V 16A TO220F	Penyelidikan
GP1M008A025CG	MOSFET N-CH 250V 8A DPAK	Penyelidikan
GHIS100A120T2C1	SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES	Penyelidikan
S25DR	DIODE GEN REV 200V 25A DO203AA	Penyelidikan
GSXD300A170S2D5	DIODE GP 1.7KV 300A ADD-A-PAK	Penyelidikan
GSXD080A008S1-D3	DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227	Penyelidikan

catatan 639

Halaman saat ini:9/13Sebelumnya 1 2 3 4 5 6 7 8910 11 12 13 Berikutnya Akhir