بطاقة خط

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- شركة Global Power Technologies Group Inc. ("GPTG") التي تأسست في عام 2007 هي شركة تطوير وتصنيع متكاملة مخصصة لمنتجات تعتمد على تقنيات كربيد السيليكون (SiC). وستكون هذه المنتجات مؤسسية لصناعات الطاقة الكهربائية والإلكترونية في السنوات المقبلة حيث تحتاج إلى تقنيات متطورة لتكلفة منخفضة ، وتوليد طاقة عالية الكفاءة ، وتحويل ونقل.
صورة رقم القطعة وصف رأي
GSID100A120T2C1 SILICON IGBT MODULES تحقيق
GSXF030A100S1-D3 Image GSXF030A100S1-D3 DIODE FAST REC 1000V 30A SOT227 تحقيق
GP2M008A060FGH Image GP2M008A060FGH MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F تحقيق
FR6DR05 DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4 تحقيق
GSXD080A006S1-D3 Image GSXD080A006S1-D3 DIODE SCHOTTKY 60V 80A SOT227 تحقيق
GSXD160A018S1-D3 Image GSXD160A018S1-D3 DIODE SCHOTTKY 180V 160A SOT227 تحقيق
GP1M005A040PG Image GP1M005A040PG MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK تحقيق
GP2D060A120U DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 تحقيق
GSXF120A040S1-D3 Image GSXF120A040S1-D3 DIODE FAST REC 400V 120A SOT227 تحقيق
S16QR DIODE GEN REV 1.2KV 16A DO203AA تحقيق
GP1M009A050HS Image GP1M009A050HS MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220 تحقيق
GSID200A120S3B1 SILICON IGBT MODULES تحقيق
FR12JR02 Image FR12JR02 DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 تحقيق
GB50SLT12-247 Image GB50SLT12-247 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC تحقيق
S12QR DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4 تحقيق
GSXD120A004S1-D3 Image GSXD120A004S1-D3 DIODE SCHOTTKY 45V 120A SOT227 تحقيق
GP1M011A050FH Image GP1M011A050FH MOSFET N-CH 500V 11A TO220F تحقيق
GP2D005A065A DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO220-2 تحقيق
GCMS004A120S7B1 SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL تحقيق
S40V DIODE GEN PURP 1.4KV 40A DO5 تحقيق
GSXD100A015S1-D3 Image GSXD100A015S1-D3 DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227 تحقيق
FR6J02 DIODE GEN PURP 600V 6A DO4 تحقيق
GKN26/04 DIODE GEN PURP 400V 25A DO4 تحقيق
GSXD050A006S1-D3 Image GSXD050A006S1-D3 DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227 تحقيق
FR16M05 DIODE GEN PURP 1KV 16A DO4 تحقيق
S40M Image S40M DIODE GEN PURP 1KV 40A DO5 تحقيق
GSID300A120S5C1 Image GSID300A120S5C1 IGBT MODULE 1200V 430A تحقيق
GKN71/08 DIODE GEN PURP 800V 95A DO5 تحقيق
GP2M005A060HG Image GP2M005A060HG MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220 تحقيق
1N1183AR DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO5 تحقيق
GP2M005A060CG Image GP2M005A060CG MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK تحقيق
GHXS015A120S-D3 Image GHXS015A120S-D3 DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227 تحقيق
S6JR DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 تحقيق
GP2D006A060C Image GP2D006A060C DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-2 تحقيق
GP1M010A080FH Image GP1M010A080FH MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F تحقيق
GP2D006A060A Image GP2D006A060A DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2 تحقيق
S12JR DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 تحقيق
GKR26/12 DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4 تحقيق
1N3673A Image 1N3673A DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4 تحقيق
GP2D005A060A Image GP2D005A060A DIODE SCHOTTKY 600V 15A TO220-2 تحقيق
GP2D006A065A Image GP2D006A065A DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2 تحقيق
S25G DIODE GEN PURP 400V 25A DO203AA تحقيق
S12MR DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4 تحقيق
S25J DIODE GEN PURP 600V 25A DO203AA تحقيق
1N1199A Image 1N1199A DIODE GEN PURP 50V 12A DO4 تحقيق
GSXD120A015S1-D3 Image GSXD120A015S1-D3 DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227 تحقيق
GSXD060A004S1-D3 Image GSXD060A004S1-D3 DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227 تحقيق
FR16K05 Image FR16K05 DIODE GEN PURP 800V 16A DO4 تحقيق
GHIS100A120S2B1 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES تحقيق
FR20B02 DIODE GEN PURP 100V 20A DO5 تحقيق
سجلات 639
سابق12345678910111213التالينهاية