بطاقة خط

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- شركة Global Power Technologies Group Inc. ("GPTG") التي تأسست في عام 2007 هي شركة تطوير وتصنيع متكاملة مخصصة لمنتجات تعتمد على تقنيات كربيد السيليكون (SiC). وستكون هذه المنتجات مؤسسية لصناعات الطاقة الكهربائية والإلكترونية في السنوات المقبلة حيث تحتاج إلى تقنيات متطورة لتكلفة منخفضة ، وتوليد طاقة عالية الكفاءة ، وتحويل ونقل.
صورة رقم القطعة وصف رأي
FR16BR05 DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4 تحقيق
GHIS040A120S-A1 Image GHIS040A120S-A1 IGBT BOOST CHOP 1200V 80A SOT227 تحقيق
FST10020 Image FST10020 DIODE MODULE 20V 100A TO249AB تحقيق
GP1M008A025FG Image GP1M008A025FG MOSFET N-CH 250V 8A TO220F تحقيق
GHIS075A120T2P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES تحقيق
1N2137A DIODE GEN PURP 500V 60A DO5 تحقيق
1N1188AR DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5 تحقيق
GP1M003A050HG Image GP1M003A050HG MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 تحقيق
GP1M009A020CG Image GP1M009A020CG MOSFET N-CH 200V 9A DPAK تحقيق
S16BR DIODE GEN REV 100V 16A DO203AA تحقيق
S6G DIODE GEN PURP 400V 6A DO4 تحقيق
FR20DR02 DIODE GEN PURP REV 200V 20A DO5 تحقيق
GCMS020A120S1-E1 SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C تحقيق
GP1M003A050FG Image GP1M003A050FG MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F تحقيق
1N2129AR DIODE GEN PURP REV 100V 60A DO5 تحقيق
FR30A02 DIODE GEN PURP 50V 30A DO5 تحقيق
1N1183A DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB تحقيق
S6MR DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4 تحقيق
GP2M004A065HG Image GP2M004A065HG MOSFET N-CH 650V 4A TO220 تحقيق
GSXD050A008S1-D3 Image GSXD050A008S1-D3 DIODE SCHOTTKY 80V 50A SOT227 تحقيق
GP1M004A090H Image GP1M004A090H MOSFET N-CH 900V 4A TO220 تحقيق
FR30MR05 DIODE GEN PURP REV 1KV 30A DO5 تحقيق
S40JR DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5 تحقيق
MBRT200150R Image MBRT200150R DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER تحقيق
GHXS010A060S-D1 Image GHXS010A060S-D1 MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227 تحقيق
1N1183 DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB تحقيق
S25MR DIODE GEN REV 1KV 25A DO203AA تحقيق
GHXS010A060S-D4 Image GHXS010A060S-D4 DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227 تحقيق
GP1M005A050CH Image GP1M005A050CH MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK تحقيق
FR20JR02 DIODE GEN PURP REV 600V 20A DO5 تحقيق
GCMS040A120B1H1 SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1 تحقيق
GP1M006A065F Image GP1M006A065F MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F تحقيق
GHXS060A120S-D4 Image GHXS060A120S-D4 DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227 تحقيق
1N3212 DIODE GEN PURP 400V 15A DO5 تحقيق
GSXF100A120S1-D3 Image GSXF100A120S1-D3 DIODE FAST REC 1200V 100A SOT227 تحقيق
GP2M005A050FG Image GP2M005A050FG MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F تحقيق
FR6B02 DIODE GEN PURP 100V 6A DO4 تحقيق
GP2M011A090NG Image GP2M011A090NG MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN تحقيق
GHIS100A120T2P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES تحقيق
GP1M003A080CH MOSFET N-CH 800V 3A DPAK تحقيق
1N3212R DIODE GEN PURP REV 400V 15A DO5 تحقيق
GPA040A120L-ND Image GPA040A120L-ND IGBT 1200V 80A 455W TO264 تحقيق
GHIS030A120S-A2 Image GHIS030A120S-A2 IGBT BUCK CHOP 1200V 60A SOT227 تحقيق
GCMS012A120S1-E1 SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C تحقيق
GP2M023A050N Image GP2M023A050N MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN تحقيق
GP2M013A050F Image GP2M013A050F MOSFET N-CH 500V 13A TO220F تحقيق
FR12G02 DIODE GEN PURP 400V 12A DO4 تحقيق
FR6G02 DIODE GEN PURP 400V 6A DO4 تحقيق
GHXS030A060S-D3 Image GHXS030A060S-D3 DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227 تحقيق
GP2D012A065C DIODE SCHOTTKY 650V 29A TO252-2 تحقيق
سجلات 639
سابق12345678910111213التالينهاية