بطاقة خط

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- شركة Global Power Technologies Group Inc. ("GPTG") التي تأسست في عام 2007 هي شركة تطوير وتصنيع متكاملة مخصصة لمنتجات تعتمد على تقنيات كربيد السيليكون (SiC). وستكون هذه المنتجات مؤسسية لصناعات الطاقة الكهربائية والإلكترونية في السنوات المقبلة حيث تحتاج إلى تقنيات متطورة لتكلفة منخفضة ، وتوليد طاقة عالية الكفاءة ، وتحويل ونقل.
صورة رقم القطعة وصف رأي
GP2M005A060PGH Image GP2M005A060PGH MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK تحقيق
GP2D040A120U DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 تحقيق
S6Q DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4 تحقيق
GSXD060A015S1-D3 Image GSXD060A015S1-D3 DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227 تحقيق
GHXS060A120S-D3 Image GHXS060A120S-D3 MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227 تحقيق
GP1M003A050CG Image GP1M003A050CG MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK تحقيق
FR12D02 DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 تحقيق
FR12GR05 DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4 تحقيق
1N3211 DIODE GEN PURP 300V 15A DO5 تحقيق
FR12B05 DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 تحقيق
1N2135AR DIODE GEN PURP REV 400V 60A DO5 تحقيق
GP2M008A060CG Image GP2M008A060CG MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK تحقيق
1N1183R DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO5 تحقيق
GP2D003A065A Image GP2D003A065A DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2 تحقيق
S12G DIODE GEN PURP 400V 12A DO4 تحقيق
GSXF060A100S1-D3 Image GSXF060A100S1-D3 DIODE FAST REC 1000V 60A SOT227 تحقيق
GP3D050A120B DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2 تحقيق
S16B DIODE GEN PURP 100V 16A DO203AA تحقيق
GSXD160A012S1-D3 Image GSXD160A012S1-D3 DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227 تحقيق
FR6JR02 DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 تحقيق
GSXD080A020S1-D3 Image GSXD080A020S1-D3 DIODE 200V 80A SOT227 تحقيق
GP2D010A120B Image GP2D010A120B DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-2 تحقيق
GCMS008A120B1B1 SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL تحقيق
FR6D05 DIODE GEN PURP 200V 16A DO4 تحقيق
GP1M006A065PH Image GP1M006A065PH MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK تحقيق
GP2D024A060U DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247 تحقيق
FR6K05 DIODE GEN PURP 800V 6A DO4 تحقيق
FR40GR05 DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5 تحقيق
GSXD160A008S1-D3 Image GSXD160A008S1-D3 DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227 تحقيق
GP1M009A090N Image GP1M009A090N MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN تحقيق
GP2M008A060HG Image GP2M008A060HG MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220 تحقيق
1N3210R Image 1N3210R DIODE GEN PURP REV 200V 15A DO5 تحقيق
FST16040 Image FST16040 DIODE MODULE 40V 160A TO249AB تحقيق
GP1M003A080FH Image GP1M003A080FH MOSFET N-CH 800V 3A TO220F تحقيق
S6KR DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4 تحقيق
GP1M006A065FH Image GP1M006A065FH MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F تحقيق
GP1M011A050H Image GP1M011A050H MOSFET N-CH 500V 11A TO220 تحقيق
FR6J05 DIODE GEN PURP 600V 6A DO4 تحقيق
S16G DIODE GEN PURP 400V 16A DO203AA تحقيق
FR6BR05 DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4 تحقيق
GP2M008A060FG Image GP2M008A060FG MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F تحقيق
FR30D02 DIODE GEN PURP 200V 30A DO5 تحقيق
GHXS050A060S-D4 Image GHXS050A060S-D4 DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227 تحقيق
1N3213 DIODE GEN PURP 500V 15A DO5 تحقيق
FST10035 Image FST10035 DIODE MODULE 35V 100A TO249AB تحقيق
GP2M005A050HG Image GP2M005A050HG MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220 تحقيق
MUR2520 DIODE GEN PURP 200V 25A DO4 تحقيق
GSXD080A004S1-D3 Image GSXD080A004S1-D3 DIODE SCHOTTKY 45V 80A SOT227 تحقيق
GP1M008A050HG Image GP1M008A050HG MOSFET N-CH 500V 8A TO220 تحقيق
FR12MR05 DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4 تحقيق
سجلات 639
سابق12345678910111213التالينهاية