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Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.

Modèle de produit	La description	Vue
GP2M005A060PGH	MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK	Enquête
GP2D040A120U	DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247	Enquête
S6Q	DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4	Enquête
GSXD060A015S1-D3	DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227	Enquête
GHXS060A120S-D3	MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227	Enquête
GP1M003A050CG	MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK	Enquête
FR12D02	DIODE GEN PURP 200V 12A DO4	Enquête
FR12GR05	DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4	Enquête
1N3211	DIODE GEN PURP 300V 15A DO5	Enquête
FR12B05	DIODE GEN PURP 100V 12A DO4	Enquête
1N2135AR	DIODE GEN PURP REV 400V 60A DO5	Enquête
GP2M008A060CG	MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK	Enquête
1N1183R	DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO5	Enquête
GP2D003A065A	DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2	Enquête
S12G	DIODE GEN PURP 400V 12A DO4	Enquête
GSXF060A100S1-D3	DIODE FAST REC 1000V 60A SOT227	Enquête
GP3D050A120B	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2	Enquête
S16B	DIODE GEN PURP 100V 16A DO203AA	Enquête
GSXD160A012S1-D3	DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227	Enquête
FR6JR02	DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4	Enquête
GSXD080A020S1-D3	DIODE 200V 80A SOT227	Enquête
GP2D010A120B	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-2	Enquête
GCMS008A120B1B1	SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL	Enquête
FR6D05	DIODE GEN PURP 200V 16A DO4	Enquête
GP1M006A065PH	MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK	Enquête
GP2D024A060U	DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247	Enquête
FR6K05	DIODE GEN PURP 800V 6A DO4	Enquête
FR40GR05	DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5	Enquête
GSXD160A008S1-D3	DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227	Enquête
GP1M009A090N	MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN	Enquête
GP2M008A060HG	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220	Enquête
1N3210R	DIODE GEN PURP REV 200V 15A DO5	Enquête
FST16040	DIODE MODULE 40V 160A TO249AB	Enquête
GP1M003A080FH	MOSFET N-CH 800V 3A TO220F	Enquête
S6KR	DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4	Enquête
GP1M006A065FH	MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F	Enquête
GP1M011A050H	MOSFET N-CH 500V 11A TO220	Enquête
FR6J05	DIODE GEN PURP 600V 6A DO4	Enquête
S16G	DIODE GEN PURP 400V 16A DO203AA	Enquête
FR6BR05	DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4	Enquête
GP2M008A060FG	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F	Enquête
FR30D02	DIODE GEN PURP 200V 30A DO5	Enquête
GHXS050A060S-D4	DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227	Enquête
1N3213	DIODE GEN PURP 500V 15A DO5	Enquête
FST10035	DIODE MODULE 35V 100A TO249AB	Enquête
GP2M005A050HG	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220	Enquête
MUR2520	DIODE GEN PURP 200V 25A DO4	Enquête
GSXD080A004S1-D3	DIODE SCHOTTKY 45V 80A SOT227	Enquête
GP1M008A050HG	MOSFET N-CH 500V 8A TO220	Enquête
FR12MR05	DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4	Enquête

Disques 639

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