بطاقة خط

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- شركة Global Power Technologies Group Inc. ("GPTG") التي تأسست في عام 2007 هي شركة تطوير وتصنيع متكاملة مخصصة لمنتجات تعتمد على تقنيات كربيد السيليكون (SiC). وستكون هذه المنتجات مؤسسية لصناعات الطاقة الكهربائية والإلكترونية في السنوات المقبلة حيث تحتاج إلى تقنيات متطورة لتكلفة منخفضة ، وتوليد طاقة عالية الكفاءة ، وتحويل ونقل.
صورة رقم القطعة وصف رأي
GSID080A120B1A5 SILICON IGBT MODULES تحقيق
FR30K05 DIODE GEN PURP 800V 30A DO5 تحقيق
S25QR DIODE GEN REV 1.2KV 25A DO203AA تحقيق
FR16J02 DIODE GEN PURP 600V 16A DO4 تحقيق
GSXF100A100S1-D3 Image GSXF100A100S1-D3 DIODE FAST REC 1000V 100A SOT227 تحقيق
GKN26/14 DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4 تحقيق
FR6D02 DIODE GEN PURP 200V 6A DO4 تحقيق
FR6DR02 DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4 تحقيق
GP1M016A025FG Image GP1M016A025FG MOSFET N-CH 250V 16A TO220F تحقيق
FST12020 Image FST12020 DIODE MODULE 20V 120A TO249AB تحقيق
GHIS030A060B2P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES تحقيق
FR30AR02 DIODE GEN PURP REV 50V 30A DO5 تحقيق
FR6BR02 DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4 تحقيق
GSID200A120S5C1 Image GSID200A120S5C1 IGBT MODULE 1200V 335A تحقيق
1N3893 DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 تحقيق
GHXS030A060S-D1 Image GHXS030A060S-D1 MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227 تحقيق
GCMS080A120S1-E1 SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C تحقيق
S85QR Image S85QR DIODE GEN PURP REV 1.2KV 85A DO5 تحقيق
GP2D012A060A Image GP2D012A060A DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2 تحقيق
GP1M018A020CG Image GP1M018A020CG MOSFET N-CH 200V 18A DPAK تحقيق
1N2137AR DIODE GEN PURP REV 500V 60A DO5 تحقيق
FR16KR05 DIODE GEN PURP REV 800V 16A DO4 تحقيق
GSXF060A020S1-D3 Image GSXF060A020S1-D3 DIODE FAST REC 200V 60A SOT227 تحقيق
FR16D02 DIODE GEN PURP 200V 16A DO4 تحقيق
GKR26/08 DIODE GEN PURP 800V 25A DO4 تحقيق
FR12BR02 DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 تحقيق
MUR2540 DIODE GEN PURP 400V 25A DO4 تحقيق
1N2128A DIODE GEN PURP 50V 60A DO5 تحقيق
S40K DIODE GEN PURP 800V 40A DO5 تحقيق
1N1184A Image 1N1184A DIODE GEN PURP 100V 40A DO5 تحقيق
S12DR DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 تحقيق
FR6KR05 DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4 تحقيق
GHXS020A060S-D3 Image GHXS020A060S-D3 DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227 تحقيق
GKR26/04 DIODE GEN PURP 400V 25A DO4 تحقيق
GHXS050A170S-D3 1700V 50A SIC SBD PARALLEL تحقيق
S25JR DIODE GEN REV 600V 25A DO203AA تحقيق
GP1M006A070F Image GP1M006A070F MOSFET N-CH 700V 5A TO220F تحقيق
GP2M004A060HG Image GP2M004A060HG MOSFET N-CH 600V 4A TO220 تحقيق
S6BR DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4 تحقيق
1N8034-GA Image 1N8034-GA DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 تحقيق
GP1M016A060H Image GP1M016A060H MOSFET N-CH 600V 16A TO220 تحقيق
GP2D020A060U DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247 تحقيق
GSID100A120T2P2 SILICON IGBT MODULES تحقيق
GSXD100A012S1-D3 Image GSXD100A012S1-D3 DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227 تحقيق
GP2M010A065H Image GP2M010A065H MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220 تحقيق
GSXD050A018S1-D3 Image GSXD050A018S1-D3 DIODE SCHOTTKY 180V 50A SOT227 تحقيق
GHIS050A120T1P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES تحقيق
GP2M012A080NG Image GP2M012A080NG MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN تحقيق
GP1M016A060N Image GP1M016A060N MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN تحقيق
FR12K05 DIODE GEN PURP 800V 12A DO4 تحقيق
سجلات 639
سابق12345678910111213التالينهاية