FDMD84100
FDMD84100
Modèle de produit:
FDMD84100
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
30481 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FDMD84100.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Package composant fournisseur:Power 3.3x5
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:20 mOhm @ 7A, 10V
Puissance - Max:2.1W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerWDFN
Autres noms:FDMD84100TR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:980pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual) Common Source
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 100V 7A 2.1W Surface Mount Power 3.3x5
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:7A
Email:[email protected]

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