FDMD8430
Modèle de produit:
FDMD8430
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
FET ENGR DEV-NOT REL
Quantité:
70541 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FDMD8430.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Package composant fournisseur:8-PQFN (3.3x5)
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.12 mOhm @ 28A, 10V
Puissance - Max:2.1W (Ta), 29W (Tc)
Package / Boîte:8-PowerWDFN
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:6 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:5035pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:90nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual) Common Source
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 28A (Ta), 95A (Tc) 2.1W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x5)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:28A (Ta), 95A (Tc)
Email:[email protected]

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