FDMD8560L
FDMD8560L
Modèle de produit:
FDMD8560L
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
32066 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FDMD8560L.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Package composant fournisseur:8-Power 5x6
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.2 mOhm @ 22A, 10V
Puissance - Max:2.2W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerWDFN
Autres noms:FDMD8560LTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:11130pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:128nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 22A, 93A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:22A, 93A
Email:[email protected]

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