FDMD84100
FDMD84100
Modello di prodotti:
FDMD84100
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
30481 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDMD84100.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:Power 3.3x5
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:20 mOhm @ 7A, 10V
Potenza - Max:2.1W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
Altri nomi:FDMD84100TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:980pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 100V 7A 2.1W Surface Mount Power 3.3x5
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7A
Email:[email protected]

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