FDMD8260LET60
FDMD8260LET60
Modello di prodotti:
FDMD8260LET60
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 60V 15A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
67346 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDMD8260LET60.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:12-Power3.3x5
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:5.8 mOhm @ 15A, 10V
Potenza - Max:1.1W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:12-PowerWDFN
Altri nomi:FDMD8260LET60TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:35 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5245pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:68nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 1.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:15A
Email:[email protected]

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