BSC883N03MSGATMA1
BSC883N03MSGATMA1
Modèle de produit:
BSC883N03MSGATMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
60962 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
BSC883N03MSGATMA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TDSON-8
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.8 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.5W (Ta), 57W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:BSC883N03MS GCT
BSC883N03MS GCT-ND
BSC883N03MSGATMA1CT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3200pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):34V
Description détaillée:N-Channel 34V 19A (Ta), 98A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:19A (Ta), 98A (Tc)
Email:[email protected]

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