BSC900N20NS3GATMA1
BSC900N20NS3GATMA1
Modèle de produit:
BSC900N20NS3GATMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
74636 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
BSC900N20NS3GATMA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 30µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TDSON-8
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:90 mOhm @ 7.6A, 10V
Dissipation de puissance (max):62.5W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:BSC900N20NS3 G
BSC900N20NS3G
BSC900N20NS3GATMA1TR
BSC900N20NS3GTR
BSC900N20NS3GTR-ND
SP000781780
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:920pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:11.6nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):200V
Description détaillée:N-Channel 200V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:15.2A (Tc)
Email:[email protected]

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