BSC883N03MSGATMA1
BSC883N03MSGATMA1
Número de pieza:
BSC883N03MSGATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
60962 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
BSC883N03MSGATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:3.8 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 57W (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:BSC883N03MS GCT
BSC883N03MS GCT-ND
BSC883N03MSGATMA1CT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3200pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:41nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:34V
Descripción detallada:N-Channel 34V 19A (Ta), 98A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:19A (Ta), 98A (Tc)
Email:[email protected]

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