BSC883N03MSGATMA1
BSC883N03MSGATMA1
Modello di prodotti:
BSC883N03MSGATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
60962 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
BSC883N03MSGATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:3.8 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 57W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:BSC883N03MS GCT
BSC883N03MS GCT-ND
BSC883N03MSGATMA1CT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3200pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):34V
Descrizione dettagliata:N-Channel 34V 19A (Ta), 98A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:19A (Ta), 98A (Tc)
Email:[email protected]

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