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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - RF > A2T18S160W31GSR3
A2T18S160W31GSR3
Modèle de produit:
A2T18S160W31GSR3
Fabricant:
NXP Semiconductors / Freescale
La description:
IC TRANS RF LDMOS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
75775 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.A2T18S160W31GSR3.pdf2.A2T18S160W31GSR3.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Test:28V
Tension - Nominale:65V
Transistor Type:LDMOS
Package composant fournisseur:NI-780GS-2L2LA
Séries:-
Alimentation - sortie:32W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:NI-780GS-2L2LA
Autres noms:935312705128
Noise Figure:-
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Gain:19.9dB
La fréquence:1.88GHz
Description détaillée:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.88GHz 19.9dB 32W NI-780GS-2L2LA
Note actuelle:-
Courant - Test:1A
Email:[email protected]

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