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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - RF > A2T18H455W23NR6
A2T18H455W23NR6
Modèle de produit:
A2T18H455W23NR6
Fabricant:
NXP Semiconductors / Freescale
La description:
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Quantité:
91665 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
A2T18H455W23NR6.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Test:31.5V
Tension - Nominale:65V
Transistor Type:LDMOS
Package composant fournisseur:OM-1230-4L2S
Séries:-
Alimentation - sortie:56dBm
Package / Boîte:OM-1230-4L2S
Autres noms:935318707564
Noise Figure:-
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Gain:14.5dB
La fréquence:1.805GHz ~ 1.88GHz
Description détaillée:RF Mosfet LDMOS 31.5V 1.08A 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.5dB 56dBm OM-1230-4L2S
Note actuelle:10µA
Courant - Test:1.08A
Email:[email protected]

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