Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Транзистори - FETs, MOSFETs - RF > A2T18H455W23NR6
A2T18H455W23NR6
Номер на частта:
A2T18H455W23NR6
Производител:
NXP Semiconductors / Freescale
описание:
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
количество:
91665 Pieces
Време за доставка:
1-2 days
Информационен лист:
A2T18H455W23NR6.pdf
Разследване

Въведение

A2T18H455W23NR6 най-добра цена и бърза доставка.
BOSER Technology е дистрибутор за A2T18H455W23NR6, ние имаме запаси за незабавно изпращане и също така на разположение за дълго време доставка. Моля, изпратете ни план за покупка за A2T18H455W23NR6 по имейл, ние ще ви дадем най-добрата цена според вашия план.
Нашата електронна поща: [email protected]

Спецификации

състояние New and Original
произход Contact us
Дистрибутор Boser Technology
Изпитване на напрежение:31.5V
Напрежение - оценено:65V
Транзисторен тип:LDMOS
Пакет на доставчик на устройства:OM-1230-4L2S
серия:-
Мощност - изход:56dBm
Пакет / касета:OM-1230-4L2S
Други имена:935318707564
Шумовата фигура:-
Ниво на чувствителност към влага (MSL):3 (168 Hours)
Печалба:14.5dB
Честота:1.805GHz ~ 1.88GHz
Подробно описание:RF Mosfet LDMOS 31.5V 1.08A 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.5dB 56dBm OM-1230-4L2S
Текуща оценка:10µA
Текущ тест:1.08A
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за A2T18H455W23NR6

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
A2T18S261W12NR3 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO Разследване
A2T09VD250NR1 NXP Semiconductors / Freescale IC TRANS RF LDMOS Разследване
A2T18S260-12SR3 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO Разследване
A2T18H410-24SR6 NXP Semiconductors / Freescale IC TRANS RF LDMOS Разследване
A2T09VD300NR1 NXP Semiconductors / Freescale IC TRANS RF LDMOS Разследване
A2T18H160-24SR3 NXP Semiconductors / Freescale IC TRANS RF LDMOS Разследване
A2T18S160W31GSR3 NXP Semiconductors / Freescale IC TRANS RF LDMOS Разследване
A2T14H450-23NR6 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO Разследване
A2T18H450W19SR6 NXP Semiconductors / Freescale IC TRANS RF LDMOS Разследване
A2T18S262W12NR3 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO Разследване
A2T18S162W31SR3 NXP Semiconductors / Freescale IC TRANS RF LDMOS Разследване
A2T08VD021NT1 NXP Semiconductors / Freescale AF3IC 800MHZ 20W PQFN8X8 Разследване
A2T18H100-25SR3 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 2CH 65V 1.81GHZ Разследване
A2T08VD020NT1 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO Разследване
A2T18S165-12SR3 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO Разследване
A2T18S166W12SR3 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2 Разследване
A2T18S260W12NR3 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO Разследване
A2T18S162W31GSR3 NXP Semiconductors / Freescale IC TRANS RF LDMOS Разследване
A2T09D400-23NR6 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO Разследване
A2T18S160W31SR3 NXP Semiconductors / Freescale IC TRANS RF LDMOS Разследване

Latest News