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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-RF > A2T18H455W23NR6
A2T18H455W23NR6
Número de pieza:
A2T18H455W23NR6
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Cantidad:
91665 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
A2T18H455W23NR6.pdf
Investigación

Introducción

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Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Voltaje - Prueba:31.5V
Tensión - Calificación:65V
Tipo de transistor:LDMOS
Paquete del dispositivo:OM-1230-4L2S
Serie:-
Alimentación - Salida:56dBm
Paquete / Cubierta:OM-1230-4L2S
Otros nombres:935318707564
Figura de ruido:-
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Ganancia:14.5dB
Frecuencia:1.805GHz ~ 1.88GHz
Descripción detallada:RF Mosfet LDMOS 31.5V 1.08A 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.5dB 56dBm OM-1230-4L2S
Valoración actual:10µA
Corriente - Prueba:1.08A
Email:[email protected]

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